Módulo de Comutador GaN + Amplificador de Potência | PA Integrado de Alta Potência GaN-on-SiC

Módulo de Comutação GaN + Amplificador de Potência

Módulos integrados de Chave + PA GaN de alta velocidade e alta potência, utilizando tecnologia GaN-on-SiC para radares de banda larga, comunicação e sistemas de teste. Oferecem potência de pico acima de 200 W e tempo de comutação rápido abaixo de 50 ns.

Descrição do Produto

Visão geral do produto

Os módulos JARON GaN Switch + Power Amplifier combinam amplificação GaN de alta eficiência com comutação rápida em estado sólido, fornecendo soluções compactas e robustas para módulos T/R e aplicações de pulso de alta frequência. O uso de transistores GaN-on-SiC garante baixa perda de inserção, alta tensão de ruptura e dissipação térmica superior.

Aplicações

Estágio condutor de módulo T/R de radar
Transmissor de comunicação de micro-ondas
Amplificador de potência de pulso para testes e instrumentação
Sistemas RF de guerra eletrônica e defesa
Comutação de amplificador de potência para infraestrutura 5G e sem fio

Modelo	Faixa de Frequência (GHz)	S21 (dB)	Psat (dBm)	PAE	Idd（A）	Ganho de potência (dB)	Isolamento (dBc)	Vd (V)	Operação modo	Encapsulamento
GXSP1001G	7~13	36	35.4	40	0.3	23.2	-	28	CW&Pulse	matriz&embalagem
GXSP1002G	8~12	32	38	40	0.65	24	27	28	Pulso	matriz&embalagem
GXSP1003G	14~18	31	35	33	0.37	22	-	24	CW&Pulse	matriz&embalagem