Gyors kapcsolású, nagyteljesítményű GaN kapcsoló + PA modulok SiC alapú GaN technológiával, szélessávú radar-, kommunikációs és tesztrendszerekhez. Több mint 200 W csúcsteljesítményt és 50 ns alatti gyors kapcsolási időt nyújtanak.
Termék áttekintése
A JARON GaN kapcsoló + teljesítményerősítő modulok hatékony GaN-erősítést kombinálnak gyors szilárdtest kapcsolással, kompakt, robosztus megoldást nyújtva T/R modulokhoz és magasfrekvenciás impulzusalkalmazásokhoz. A GaN-on-SiC tranzisztorok használata alacsony behatolási veszteséget, magas átütési feszültséget és kiváló hőelvezetést biztosít.
Alkalmazások
Modell |
Frekvenciatartomány (GHz) |
S21 (dB) |
Psat (dBm) |
PAE |
Idd (A) |
Teljesítményerősítés (dB) |
Elkülönítés (dBc) |
Vd (V) |
Működési mód |
Kapszulázás |
GXSP1001G |
7~13 |
36 |
35.4 |
40 |
0.3 |
23.2 |
- |
28 |
CW & Impulzus |
sablon&csomagolás |
GXSP1002G |
8~12 |
32 |
38 |
40 |
0.65 |
24 |
27 |
28 |
Impulzus |
sablon&csomagolás |
GXSP1003G |
14~18 |
31 |
35 |
33 |
0.37 |
22 |
- |
24 |
CW & Impulzus |
sablon&csomagolás |
EN
