Hoge snelheid, hoge vermogen GaN-schakelaar + PA-modules die GaN-on-SiC-technologie integreren voor breedbandradar, communicatie en testsystemen. Biedt piekvermogen boven de 200 W en schakeltijd onder de 50 ns.
Productoverzicht
JARON GaN-schakelaar + vermogenversterkermodules combineren hoogrendement GaN-versterking met snelle solid-state schakeling, waardoor compacte, robuuste oplossingen worden geboden voor T/R-modules en hoogfrequente pulstoepassingen. Het gebruik van GaN-op-SiC-transistors zorgt voor lage inzetverliezen, hoge doorslagspanning en superieure warmteafvoer.
Toepassingen
Model |
Frequentiebereik (GHz) |
S21 (dB) |
Psat (dBm) |
PAE |
Idd (A) |
Vermogenswinst (dB) |
Isolatie (dBc) |
Vd (V) |
Werktemperatuur modus |
Insluiting |
GXSP1001G |
7~13 |
36 |
35.4 |
40 |
0.3 |
23.2 |
- |
28 |
CW&Puls |
mal & chip |
GXSP1002G |
8~12 |
32 |
38 |
40 |
0.65 |
24 |
27 |
28 |
Puls |
mal & chip |
GXSP1003G |
14~18 |
31 |
35 |
33 |
0.37 |
22 |
- |
24 |
CW&Puls |
mal & chip |
EN
