Modul Saklar GaN + PA berkecepatan tinggi dan berdaya tinggi yang mengintegrasikan teknologi GaN-on-SiC untuk sistem radar, komunikasi, dan pengujian wideband. Menyediakan daya puncak di atas 200 W dan waktu perpindahan cepat di bawah 50 ns.
Ikhtisar Produk
Modul JARON Sakelar GaN + Penguat Daya menggabungkan penguatan GaN berkeefisiensi tinggi dengan peralihan solid-state cepat, menyediakan solusi kompak dan kokoh untuk modul T/R dan aplikasi pulsa frekuensi tinggi. Penggunaan transistor GaN-on-SiC memastikan rugi penyisipan rendah, tegangan tembus tinggi, dan disipasi panas unggul.
Aplikasi
Model |
Rentang Frekuensi (GHz) |
S21 (dB) |
Psat (dBm) |
PAE |
Idd（A） |
Powergain (dB) |
Isolasi (dBc) |
Vd (V) |
Bekerja mode |
Pengkapsulan |
GXSP1001G |
7~13 |
36 |
35.4 |
40 |
0.3 |
23.2 |
- |
28 |
CW&Derau |
die&package |
GXSP1002G |
8~12 |
32 |
38 |
40 |
0.65 |
24 |
27 |
28 |
Puls |
die&package |
GXSP1003G |
14~18 |
31 |
35 |
33 |
0.37 |
22 |
- |
24 |
CW&Derau |
die&package |
EN
