Geniş bant radar, haberleşme ve test sistemleri için GaN-on-SiC teknolojisini entegre eden yüksek hızlı, yüksek güçlü GaN Anahtar + GA modülleri. 200 W'ın üzerinde pik güç ve 50 ns'nin altında hızlı geçiş süresi sunmaktadır.
Ürün Genel Bakış
JARON GaN Anahtar + Güç Kuvvetlendirici modülleri, yüksek verimli GaN kuvvetlendirmeyi hızlı katı hal anahtarlama ile birleştirerek T/R modülleri ve yüksek frekanslı darbe uygulamaları için kompakt, dayanıklı çözümler sunar. GaN-on-SiC transistörlerin kullanılması, düşük ek kayıp, yüksek kırılma gerilimi ve üstün ısı dağılımı sağlar.
Uygulamalar
Model |
Frekans Aralığı (GHz) |
S21 (dB) |
Psat (dBm) |
PAE |
Idd（A） |
Güç Kazancı (dB) |
İzolasyon (dBc) |
Vd (V) |
Çalışma mod |
Kapsülasyon |
GXSP1001G |
7~13 |
36 |
35.4 |
40 |
0.3 |
23.2 |
- |
28 |
Sürekli Dalga ve Pulse |
die&paket |
GXSP1002G |
8~12 |
32 |
38 |
40 |
0.65 |
24 |
27 |
28 |
Puls |
die&paket |
GXSP1003G |
14~18 |
31 |
35 |
33 |
0.37 |
22 |
- |
24 |
Sürekli Dalga ve Pulse |
die&paket |
EN
