K4AAG085WC-BCWE | Samsung DDR4 8Gb SDRAM-geheugenchip | Hoogpresterend, stroomzuinig geheugen

Productoverzicht

K4AAG085WC-BCWE is een 8 Gb DDR4 SDRAM van Samsung Semiconductor, opgebouwd als 1G × 8. Het ondersteunt datatransmissiesnelheden tot 3200 Mbps per pin bij een laag bedrijfsspanning van slechts 1,2 V, waardoor uitstekende prestaties worden geboden met weinig stroomverbruik. Het 96-ball FBGA-formaat garandeert sterke signalintegriteit en thermische stabiliteit, wat het ideaal maakt voor servers, netwerksystemen en industriële ingebedde platformen die op lange termijn betrouwbaar moeten zijn.

Belangrijkste Kenmerken

• In overeenstemming met de JEDEC DDR4 SDRAM-standaard
• Ondersteunt DDR4-3200 datasnelheid (3200 Mbps per pin)
• Functioneert bij laag voltage van 1,2 V ± 0,06 V
• architectuur met 8 banks voor geoptimaliseerde gegevenstoegang
• Geïntegreerde DLL voor nauwkeurige timing en synchronisatie
• Ondersteuning voor automatisch vernieuwen, zelfstandig vernieuwen en diepe stroombesparingsmodus
• 96-ball FBGA-verpakking voor verbeterde signalintegriteit
• Groot temperatuurbereik (-40 °C tot +95 °C) voor industriële toepassingen

Toepassingen

• Geheugenmodules voor servers en datacenters
• Netwerk- en routeringsapparatuur
• Industriële automatisering en ingebedde systemen
• Automotive infotainment- en AI-bedieningseenheden
• Consumentenelektronica en high-end beeldschermapparaten

Technische specificaties

Offerteaanvraag

Voor realtime voorraad, prijzen en levertijd van K4AAG085WC-BCWE, gelieve uw Aantal (Qty), Gewenste Levertijd en Doelprijs op te nemen in het RFQ. Ons team zal snel de beste offerte bieden en ondersteuning verlenen voor BOM-kitting, spotlevering en voorraadbeheer.