K4AAG085WC-BCWE | Samsung DDR4 8Gb SDRAM memóriachip | Magas teljesítményű, alacsony fogyasztású memória

Termék áttekintése

A K4AAG085WC-BCWE egy 8 Gb-os DDR4 SDRAM termék a Samsung Semiconductor gyártásában, 1G × 8-as felépítéssel. Támogatja az adatátviteli sebességet egészen 3200 Mbps-ig csatlakozónként, miközben mindössze 1,2 V feszültséggel működik, így kiváló teljesítményt nyújt alacsony energiafogyasztás mellett. A 96 lábas FBGA tokozás kiváló jelintegráltságot és hőmérsékleti stabilitást biztosít, ezért ideális választás olyan szerverekhez, hálózati rendszerekhez és ipari beágyazott platformokhoz, amelyek hosszú távú megbízhatóságot igényelnek.

Főbb jellemzők

• JEDEC-szabványnak megfelelő DDR4 SDRAM szabvány
• Támogatja a DDR4-3200 adatsebességet (3200 Mbps csatlakozónként)
• Alacsony működési feszültség: 1,2 V ± 0,06 V
• 8 bankos architektúra optimalizált adathozzáféréshez
• Integrált DLL pontos időzítéshez és szinkronizációhoz
• Automatikus frissítés, öngyorsítás és mélyenergiatakarékos üzemmód támogatása
• 96 lábas FBGA tokozás a jelminőség javításához
• Széles hőmérséklet-tartomány ipari használatra (-40 °C és +95 °C között)

Alkalmazások

• Szerverek és adatközpontok memóriamoduljai
• Hálózati és útválasztó berendezések
• Ipari automatizálás és beágyazott rendszerek
• Autóipari infotainment és AI vezérlőegységek
• Fogyasztási cikkek és kiváló minőségű kijelzők

Műszaki specifikációk

Ajánlatkérés

A K4AAG085WC-BCWE valós idejű készletének, árának és átfutási idejének megismeréséhez kérjük, adja meg az Mennyiséget (Qty), a Szükséges átfutási időt és a Célárakat az RFQ-ban. Csapatunk gyorsan a legjobb árajánlatot kínálja, valamint támogatást nyújt a BOM-készlet összeállításában, azonnali beszerzésben és készletgazdálkodásban.