M321R8GA0EB2-CWM

LPDDR5 รุ่นใหม่ล่าสุด ความเร็วสูง กำลังไฟต่ำ สำหรับอุปกรณ์มือถือ AIoT และระบบฝังตัว

คำอธิบายผลิตภัณฑ์

ภาพรวมผลิตภัณฑ์

M321R8GA0EB2-CWM เป็นหน่วยความจำ LPDDR5 แบบมือถือขนาด 8Gb จาก Samsung ที่รองรับความเร็วสูงสุดถึง 6400Mbps เมื่อเทียบกับ LPDDR4X แล้ว LPDDR5 มีแบนด์วิธที่สูงกว่าอย่างมาก ความหน่วงต่ำลง และใช้พลังงานน้อยลง ทำให้เหมาะอย่างยิ่งสำหรับแพลตฟอร์มมือถือขั้นสูง งานประมวลผลปัญญาประดิษฐ์ (AI inference) ระบบประมวลผลภาพจากกล้อง และการประมวลผลมัลติมีเดีย

ในฐานะส่วนหนึ่งของรุ่น LPDDR5 รุ่นใหม่ล่าสุดจาก Samsung อุปกรณ์นี้รับประกันประสิทธิภาพและความเสถียรที่เหนือกว่าในแอปพลิเคชันที่ต้องการประสิทธิภาพสูง ใช้พลังงานต่ำ และใช้ AI/IoT แบบฝัง

ลักษณะสําคัญ

หน่วยความจำ Samsung LPDDR5 รุ่นถัดไป
ความจุ 8Gb (1GB)
อัตราการถ่ายโอนข้อมูลสูงสุดถึง 6400Mbps
สถาปัตยกรรมที่ใช้พลังงานต่ำมาก พร้อมโหมด DVS และโหมดสลีปลึก
แบนด์วิธที่ดีขึ้น และความหน่วงที่ลดลง เมื่อเทียบกับ LPDDR4X
เหมาะสำหรับการประมวลผลด้วย AI การถ่ายภาพ และแอปพลิเคชัน 5G
บรรจุภัณฑ์ FBGA ขนาดกะทัดรัดที่มีความน่าเชื่อถือสูง
รองรับ SoC สำหรับมือถือและ AIoT หลักๆ ได้หลายยี่ห้อ

ฟิลด์แอปพลิเคชัน

สมาร์ทโฟน 5G และอุปกรณ์มือถือ
ระบบคอมพิวเตอร์ขอบ AIoT
โมดูล ISP กล้องประสิทธิภาพสูงและโมดูลวิชัน
อุปกรณ์สวมใส่ AR/VR
แพลตฟอร์มอุตสาหกรรมแบบฝังตัว
ระบบย่อย IVI / ADAS สำหรับยานยนต์
SoC สื่อมัลติมีเดียความหน่วงกว้างสูง

ข้อมูลจำเพาะหลัก

รายการ	ข้อมูลจำเพาะ
ประเภทความจํา	LPDDR5
ความหนาแน่น	8 กิกะบิต (1 กิกะไบต์)
อัตราการข้อมูล	สูงสุดถึง 6400Mbps
องค์กร	x16 / x32 (ขึ้นอยู่กับรุ่น)
โลตติจ์การทํางาน	โหมดพลังงานต่ำ LPDDR5
แพ็คเกจ	FBGA (CWM)
ผู้ผลิต	ซัมซุง
เกรดการใช้งาน	ผู้บริโภค / อุตสาหกรรม (ขึ้นอยู่กับรุ่น)

ขอใบเสนอราคา

ในการขอราคาสำหรับ M321R8GA0EB2-CWM — รวมถึงความพร้อมมีสินค้า ระยะเวลานำส่ง ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ รายละเอียดล็อต เอกสารข้อมูลจำเพาะ หรือคำแนะนำผลิตภัณฑ์ทดแทน — กรุณาส่ง RFQ

เราให้การสนับสนุนด้านการจัดหาสินค้าแบบสปอต การจัดหาสินค้าหายาก การจัดชุด BOM และการจัดหาเพื่อการผลิตในระยะยาว