M321R8GA0EB2-CWM | Samsung 8Gb LPDDR5 DRAM | Vysokorýchlostná mobilná pamäť s nízkou spotrebou

Prehľad produktu

M321R8GA0EB2-CWM je 8Gb mobilný DRAM LPDDR5 od spoločnosti Samsung s rýchlosťou až 6400 Mbps. Oproti LPDDR4X ponúka LPDDR5 výrazne vyššiu šírku pásma, zníženú latenciu a nižšiu spotrebu energie, čo ju robí ideálnou pre pokročilé mobilné platformy, úlohy inferencie umelého inteligencie, spracovanie obrazu z kamery a multimediálne aplikácie.

Ako súčasť najnovšej generácie LPDDR5 od Samsungu zabezpečuje tento čip vynikajúcu účinnosť a stabilitu vo vysokovýkonných, batériovo citlivých a embedded AI/IoT aplikáciách.

Kľúčové vlastnosti

• Samsungova nasledujúca generácia DRAM LPDDR5
• hustota 8 Gb (1 GB)
• Rýchlosť dát až 6400 Mbps
• Architektúra s extrémne nízkou spotrebou s DVS a režimami hlbokého spánku
• Zlepšená šírka pásma a znížená latencia oproti LPDDR4X
• Vhodné pre spracovanie umelou inteligenciou, zobrazovanie a aplikácie 5G
• Kompaktný balíček FBGA s vysokou spoľahlivosťou
• Kompatibilný s hlavnými mobilnými SoC a SoC pre AIoT

Obory aplikácie

• smartfóny a mobilné zariadenia s technológiou 5G
• Hranové výpočtové systémy AIoT
• Vysokovýkonné ISP kamier a víziové moduly
• Nositeľné zariadenia AR/VR
• Priemyselné embedded platformy
• Automobilové podsystemy IVI / ADAS
• Multimediálne SoC s vysokou šírkou pásma

Kľúčové špecifikácie

Požiadavka na Cenovú Ponuku

Ak si prajete požiadať o cenu pre M321R8GA0EB2-CWM – vrátane dostupnosti, dodacích lehôt, minimálneho objednávacieho množstva (MOQ), podrobností o šarži, technického listu alebo odporúčaní náhrad – odoslatte prosím RFQ.

Podporujeme dodávky na vyžiadanie, zabezpečenie nedostatkových komponentov, kompletné BOM sady a dlhodobé dodávanie pre výrobu.