M321R8GA0EB2-CWM | Samsung 8Gb LPDDR5 DRAM | Didelio greičio mažos galios mobilioji atmintinė

Produkto apžvalga

M321R8GA0EB2-CWM yra 8 Gb talpos Samsung LPDDR5 mobilioji DRAM, siūlanti iki 6400 Mbps greitį. Palyginti su LPDDR4X, LPDDR5 suteikia žymiai didesnį pralaidumą, sumažintą užlaikymą ir mažesnę energijos sąnaudą, todėl ji puikiai tinka pažangioms mobiliųjų platformų sistemoms, dirbtinio intelekto išvadų apdorojimui, vaizdo kamerų apdorojimo grandinėms ir multimedijos apdorojimui.

Kaip vienas iš naujausios Samsung LPDDR5 kartos sprendimų, šis įrenginys užtikrina aukštesnį efektyvumą ir stabilumą intensyviai veikiančioms, baterijos energiją taupančioms bei įmontuotoms dirbtinio intelekto / IoT programoms.

Pagrindinės savybės

• Samsung naujos kartos LPDDR5 DRAM
• 8 Gb (1 GB) talpa
• Iki 6400 Mbps duomenų perdavimo greitis
• Ultra mažos galios architektūra su DVS ir giliu miego režimu
• Pagerintas pralaidumas ir sumažintas užlaikymas palyginti su LPDDR4X
• Tinka dirbtinio intelekto apdorojimui, vaizdavimui ir 5G programoms
• Aukštos patikimumo kompaktinė FBGA pakuotė
• Suderinamas su pagrindiniais mobiliaisiais ir AIoT SoC

Pritaikymo sritys

• 5G išmanieji telefonai ir mobilūs įrenginiai
• AIoT kraštinių skaičiavimo sistemos
• Aukštos našumo kamerų ISP ir matymo moduliai
• AR/VR nešiojamieji įrenginiai
• Pramoniniai įterptieji platformos
• Automobilių IVI / ADAS posistemės
• Didelio pralaidumo multimedijos SoC

Pagrindinės specifikacijos

Kainos paklausimas

Norėdami gauti M321R8GA0EB2-CWM kainą – įskaitant prieinamumą, pristatymo laiką, mažiausią užsakymo kiekį, partijos duomenis, techninę apžvalgą ar alternatyvių produktų rekomendacijas – pateikite užklausą (RFQ).

Palaikome vienetinių detalių tiekimą, trūkstamų komponentų paiešką, BOM komplektavimą ir ilgalaikį gamybos tiekimą.