M321R8GA0EB2-CWM | Samsung 8Gb LPDDR5 DRAM | Yüksek Hızlı Düşük Güçlü Mobil Bellek

Ürün Genel Bakış

M321R8GA0EB2-CWM, Samsung'dan 6400Mbps'ye kadar hız sağlayan 8GB LPDDR5 mobil DRAM'dır. LPDDR4X'e kıyasla, LPDDR5 önemli ölçüde daha yüksek bant genişliği, az latensi ve daha düşük güç tüketimi sağlar ve bu da gelişmiş mobil platformlar, yapay zeka çıkarım iş yükleri, kamera görüntüleme boru hatları ve multimedya işleme için idealdir.

Samsung'un en yeni LPDDR5 neslinin bir parçası olarak, bu cihaz yüksek performanslı, pil duyarlı ve gömülü AI / IoT uygulamalarında üstün verimlilik ve istikrar sağlar.

Temel Özellikler

• Samsung yeni nesil LPDDR5 DRAM
• 8Gb (1GB) yoğunluk
• 6400Mbps'e kadar veri hızı
• DVS ve derin uyku modları ile ultra düşük güç mimarisi
• Gelişmiş bant genişliği ve düşük gecikme LPDDR4X'e karşı
• Yapay zeka işleme, görüntüleme ve 5G uygulamaları için uygun
• Yüksek güvenilirlikli kompakt FBGA paketi
• Ana mobil ve AIoT SoC'ler ile uyumlu

Uygulama alanları

• 5G akıllı telefonlar ve mobil cihazlar
• AIoT kenar bilişim sistemleri
• Yüksek performanslı kamera ISP ve görsel modüller
• AR/VR giyilebilir cihazlar
• Endüstriyel gömülü platformlar
• Otomotiv IVI / ADAS alt sistemleri
• Yüksek bant genişlikli multimedya SoC'ler

Ana Özellikler

Teklif Talebi

M321R8GA0EB2-CWM için fiyat talebinde bulunun—kullanılabilirlik, teslim süresi, minimum sipariş miktarı (MOQ), parti detayları, veri sayfası veya çapraz öneriler de dahil—lütfen bir RFQ gönderin.

Nokta tedariki, kıt tedarik, BOM kiti ve uzun vadeli üretim tedarikini destekliyoruz.