M321R8GA0EB2-CWM

نسل بعدی LPDDR5 حافظه DRAM با سرعت بالا و مصرف انرژی پایین برای دستگاه‌های همراه، AIoT و سیستم‌های تعبیه‌شده

توضیحات محصول

خلاصه ی محصول

M321R8GA0EB2-CWM یک حافظه موبایل 8Gb LPDDR5 از سامسونگ است که سرعتی تا 6400 مگابیت بر ثانیه ارائه می‌دهد. در مقایسه با LPDDR4X، LPDDR5 پهنای باند به‌مراتب بالاتری، تأخیر کمتر و مصرف انرژی پایین‌تری فراهم می‌کند و بنابراین برای پلتفرم‌های پیشرفته موبایل، بارهای کاری استنتاج هوش مصنوعی، خطوط لوله تصویربرداری دوربین و پردازش چندرسانه‌ای ایده‌آل است.

به عنوان بخشی از نسل جدید LPDDR5 سامسونگ، این قطعه کارایی و پایداری عالی را در کاربردهای با عملکرد بالا، حساس به باتری و تعبیه‌شده در هوش مصنوعی/اینترنت اشیا تضمین می‌کند.

ویژگی‌های کلیدی

حافظه DRAM LPDDR5 نسل بعدی سامسونگ
چگالی 8 گیگ‌بیت (1 گیگابایت)
نرخ داده تا 6400 مگابیت بر ثانیه
معماری فوق‌العاده کم‌مصرف با حالت‌های DVS و خواب عمیق
پهنای باند بهبودیافته و تأخیر کاهش‌یافته نسبت به LPDDR4X
مناسب برای پردازش هوش مصنوعی، تصویربرداری و کاربردهای 5G
بسته‌بندی FBGA فشرده با قابلیت اطمینان بالا
سازگار با SoC‌های اصلی تلفن‌های همراه و AIoT

زمینه های درخواست

تلفن‌های هوشمند 5G و دستگاه‌های تلفن همراه
سیستم‌های محاسباتی لبه AIoT
ماژول‌های ISP دوربین و بینایی ماشین با عملکرد بالا
دستگاه‌های پوشیدنی AR/VR
پلتفرم‌های صنعتی توکار
زیرسیستم‌های خودرویی IVI / ADAS
SoC‌های چندرسانه‌ای با پهنای باند بالا

مشخصات کلیدی

مورد	مشخصات
نوع حافظه	LPDDR5
تراکم	8Gb (1GB)
نرخ داده	تا 6400 مگابایت بر ثانیه
سازمان	x16 / x32 (بسته به نوع مدل)
ولتاژ کار	حالت کم‌مصرف LPDDR5
بسته	FBGA (CWM)
تولیدکننده	سامسونگ
رده کاربردی	مصرف‌کننده / صنعتی (بسته به نسخه)

درخواست قیمت‌گذاری

برای درخواست قیمت‌گذاری M321R8GA0EB2-CWM — شامل موجودی، زمان تحویل، حداقل مقدار سفارش (MOQ)، جزئیات لات، دیتاشیت یا پیشنهادات جایگزین — لطفاً یک درخواست پیشنهاد قیمت (RFQ) ارسال کنید.

ما از تأمین فوری، تأمین قطعات کمیاب، بسته‌بندی BOM و تأمین بلندمدت برای تولید پشتیبانی می‌کنیم.