M321R8GA0EB2-CWM

Volgende-generatie LPDDR5 High-Speed, Stroombesparende DRAM voor Mobiele Toepassingen, AIoT en Ingebedde Systemen

Productomschrijving

Productoverzicht

De M321R8GA0EB2-CWM is een 8 Gb LPDDR5 mobiele DRAM van Samsung, met snelheden tot 6400 Mbps. Vergeleken met LPDDR4X biedt LPDDR5 aanzienlijk hogere bandbreedte, lagere latentie en lager stroomverbruik, waardoor het ideaal is voor geavanceerde mobiele platforms, AI-inferentiebelastingen, camerabeeldverwerking en multimedia-verwerking.

Als onderdeel van Samsungs nieuwste generatie LPDDR5, zorgt dit apparaat voor superieure efficiëntie en stabiliteit in high-performance, batterijgevoelige en ingebedde AI/IoT-toepassingen.

Belangrijkste Kenmerken

Samsungs volgende generatie LPDDR5 DRAM
8 Gb (1 GB) capaciteit
Tot 6400 Mbps datatransmissiesnelheid
Ultra-laagvermogen architectuur met DVS en diepe-slaapmodi
Verbeterde bandbreedte en lagere latentie vergeleken met LPDDR4X
Geschikt voor AI-verwerking, beeldvorming en 5G-toepassingen
Compacte FBGA-verpakking met hoge betrouwbaarheid
Compatibel met belangrijke mobiele en AIoT-SoC's

Toepassingsvelden

5G-smartphones en mobiele apparaten
AIoT edge-computing systemen
Hoogwaardige camera-ISP's en visiemodules
AR/VR-draagbare apparaten
Industriële embedded platforms
Automotive IVI / ADAS-subsytemen
Multimedia-SoC's met hoge bandbreedte

Belangrijke specificaties

Artikel	Specificatie
Geheugentype	LPDDR5
Dichtheid	8 Gb (1 GB)
Gegevenspercentage	Tot 6400 Mbps
Organisatie	x16 / x32 (afhankelijk van variant)
Bedrijfsspanning	LPDDR5-modus met laag stroomverbruik
Verpakking	FBGA (CWM)
Fabrikant	Samsung
Toepassingsklasse	Consumenten- / industriële toepassing (afhankelijk van versie)

Offerteaanvraag

Om prijzen aan te vragen voor M321R8GA0EB2-CWM — inclusief beschikbaarheid, levertijd, MOQ, lotgegevens, datasheet of crossaanbevelingen — dient u een RFQ in.

Wij ondersteunen spotlevering, tekortaanvulling, BOM-kitting en langdurige productievoorziening.