M321R8GA0EB2-CWM

Bộ nhớ DRAM LPDDR5 thế hệ mới tốc độ cao, tiết kiệm điện cho Thiết bị di động, AIoT và Hệ thống nhúng

Mô tả Sản phẩm

Tổng quan về Sản phẩm

M321R8GA0EB2-CWM là bộ nhớ DRAM di động LPDDR5 8Gb của Samsung, cung cấp tốc độ lên đến 6400Mbps. So với LPDDR4X, LPDDR5 cung cấp băng thông cao hơn đáng kể, độ trễ thấp hơn và tiêu thụ điện năng thấp hơn, làm cho nó lý tưởng cho các nền tảng di động tiên tiến, khối lượng công việc suy luận AI, đường dẫn hình ảnh camera và xử lý đa phương tiện.

Là một phần của thế hệ LPDDR5 mới nhất của Samsung, thiết bị này đảm bảo hiệu suất vượt trội và độ ổn định trong các ứng dụng hiệu suất cao, nhạy cảm với pin và AI/IoT tích hợp.

Tính năng nổi bật

Bộ nhớ DRAM LPDDR5 thế hệ tiếp theo của Samsung
mật độ 8Gb (1GB)
Tốc độ dữ liệu lên đến 6400Mbps
Kiến trúc tiêu thụ điện cực thấp với chế độ DVS và chế độ ngủ sâu
Băng thông được cải thiện và độ trễ giảm so với LPDDR4X
Phù hợp cho xử lý AI, hình ảnh, ứng dụng 5G
Gói FBGA nhỏ gọn độ tin cậy cao
Tương thích với các SoC di động và AIoT chính

Các lĩnh vực ứng dụng

điện thoại thông minh 5G và thiết bị di động
Hệ thống điện toán biên AIoT
Các mô-đun ISP camera và thị giác hiệu suất cao
Thiết bị đeo AR/VR
Các nền tảng nhúng công nghiệp
Hệ thống phụ ô tô IVI / ADAS
SoC đa phương tiện băng thông cao

Thông số kỹ thuật chính

Mục	Thông số kỹ thuật
Loại bộ nhớ	LPDDR5
Mật độ	8Gb (1GB)
Tỷ lệ dữ liệu	Lên đến 6400Mbps
Tổ chức	x16 / x32 (phụ thuộc phiên bản)
Điện áp hoạt động	Chế độ tiết kiệm điện LPDDR5
Bao bì	FBGA (CWM)
Nhà sản xuất	Samsung
Cấp ứng dụng	Tiêu dùng / Công nghiệp (phụ thuộc phiên bản)

Yêu cầu báo giá

Để yêu cầu báo giá cho M321R8GA0EB2-CWM—bao gồm sẵn có, thời gian giao hàng, MOQ, chi tiết lô hàng, bảng dữ liệu hoặc các khuyến nghị thay thế—vui lòng gửi RFQ.

Chúng tôi hỗ trợ cung cấp hàng spot, tìm nguồn hàng khan hiếm, đóng gói BOM và cung cấp sản xuất dài hạn.