M321R8GA0EB2-CWM | DRAM LPDDR5 de 8 Gb de Samsung | Memoria móvil de alta velocidad y bajo consumo

Descripción del producto

El M321R8GA0EB2-CWM es una DRAM móvil LPDDR5 de 8 Gb de Samsung, que ofrece velocidades de hasta 6400 Mbps. En comparación con LPDDR4X, LPDDR5 proporciona un ancho de banda significativamente mayor, menor latencia y menor consumo de energía, lo que la hace ideal para plataformas móviles avanzadas, cargas de trabajo de inferencia de IA, procesamiento de imágenes de cámaras y aplicaciones multimedia.

Como parte de la más reciente generación de LPDDR5 de Samsung, este dispositivo garantiza una eficiencia y estabilidad superiores en aplicaciones de alto rendimiento, sensibles al consumo de batería y con inteligencia artificial/IoT integrada.

Las características clave

• DRAM LPDDR5 de próxima generación de Samsung
• densidad de 8 Gb (1 GB)
• Velocidad de datos de hasta 6400 Mbps
• Arquitectura ultrabaja en consumo con modos DVS y suspensión profunda
• Ancho de banda mejorado y latencia reducida frente a LPDDR4X
• Adecuado para procesamiento de IA, imágenes y aplicaciones 5G
• Paquete FBGA compacto de alta confiabilidad
• Compatible con principales SoC móviles y de AIoT

Campos de Aplicación

• smartphones 5G y dispositivos móviles
• Sistemas de computación perimetral AIoT
• Módulos ISP de cámara y de visión de alto rendimiento
• Dispositivos portátiles AR/VR
• Plataformas embebidas industriales
• Sistemas automotrices IVI / ADAS
• SoC multimedia de alto ancho de banda

Especificaciones clave

Solicitud de cotización

Para solicitar precios para M321R8GA0EB2-CWM, incluyendo disponibilidad, plazo de entrega, cantidad mínima de pedido (MOQ), detalles del lote, hoja técnica o recomendaciones cruzadas, envíe una solicitud de cotización (RFQ).

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