M321R8GA0EB2-CWM | DRAM LPDDR5 de 8 Gb da Samsung | Memória móvel de alta velocidade e baixo consumo energético

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M321R8GA0EB2-CWM

DRAM LPDDR5 de próxima geração, de alta velocidade e baixo consumo para dispositivos móveis, AIoT e sistemas embarcados

Visão geral do produto

O M321R8GA0EB2-CWM é uma DRAM móvel LPDDR5 de 8 Gb da Samsung, com velocidades de até 6400 Mbps. Em comparação com a LPDDR4X, a LPDDR5 oferece largura de banda significativamente maior, menor latência e menor consumo de energia, tornando-a ideal para plataformas móveis avançadas, cargas de trabalho de inferência de IA, pipelines de imagens de câmera e processamento multimídia.

Como parte da mais nova geração LPDDR5 da Samsung, este dispositivo garante eficiência e estabilidade superiores em aplicações de alto desempenho, sensíveis à bateria e com IA/IoT embutida.

 

Principais Características

  • DRAM LPDDR5 de próxima geração da Samsung
  • densidade de 8 Gb (1 GB)
  • Taxa de dados de até 6400 Mbps
  • Arquitetura de ultra-baixo consumo com modos DVS e deep sleep
  • Largura de banda aprimorada e latência reduzida em comparação com a LPDDR4X
  • Adequado para processamento de IA, imagens e aplicações 5G
  • Pacote FBGA compacto de alta confiabilidade
  • Compatível com principais SoCs móveis e de AIoT

 

Campos de Aplicação

  • smartphones 5G e dispositivos móveis
  • Sistemas de computação de borda AIoT
  • Módulos ISP de câmera de alto desempenho e de visão
  • Dispositivos vestíveis AR/VR
  • Plataformas embarcadas industriais
  • Subsistemas automotivos IVI / ADAS
  • SoCs multimídia de alta largura de banda

 

Especificações principais

Item Especificações
Tipo de memória LPDDR5
Densidade 8Gb (1GB)
Taxa de dados Até 6400Mbps
Organização x16 / x32 (dependente da variante)
Tensão de operação Modo de baixa potência LPDDR5
Pacote FBGA (CWM)
Fabricante Samsung
Classe de Aplicação Consumo / Industrial (dependente da versão)

 

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