M321R8GA0EB2-CWM | Samsung 8Gb LPDDR5 DRAM | Високоскоростна нисковолтова мобилна памет

Преглед на продукта

M321R8GA0EB2-CWM е 8Gb LPDDR5 мобилен DRAM от Samsung със скорост до 6400 Mbps. В сравнение с LPDDR4X, LPDDR5 осигурява значително по-голяма честотна лента, намалено забавяне и по-ниско енергопотребление, което го прави идеален за напреднали мобилни платформи, задачи за извличане на изкуствен интелект, обработка на изображения от камера и мултимедийна обработка.

Като част от най-новото поколение LPDDR5 на Samsung, този компонент гарантира превъзходна ефективност и стабилност в приложения с висока производителност, чувствителни към батерията и вградени AI/ IoT приложения.

Ключови характеристики

• Следващо поколение LPDDR5 DRAM на Samsung
• плътност 8Gb (1GB)
• Скорост на предаване до 6400 Mbps
• Архитектура с изключително ниско енергопотребление с DVS и режими за дълбок сън
• Подобрена честотна лента и намалено забавяне спрямо LPDDR4X
• Подходящ за обработка с изкуствен интелект, имиджинг и приложения за 5G
• Високонадежден компактен пакет FBGA
• Съвместим с водещи мобилни SoC и SoC за AIoT

Области на приложение

• 5G смартфони и мобилни устройства
• AIoT системи за изчисления на ръба
• Високоефективни ISP за камера и модули за визия
• Носими устройства за AR/VR
• Индустриални вградени платформи
• Автомобилни IVI / ADAS подсистеми
• Мултимедийни SoC с голяма честотна лента

Основни спецификации

Запитване за оферта

За да поискате цени за M321R8GA0EB2-CWM — включително наличие, време за доставка, минимално количество за поръчка, детайли за партида, технически паспорт или препоръчани алтернативи — моля, подайте заявка (RFQ).

Ние поддържаме спот доставки, осигуряване при недостиг, комплектоване на BOM и дългосрочни производствени доставки.