M321R8GA0EB2-CWM

DRAM der nächsten Generation LPDDR5 mit hoher Geschwindigkeit und geringem Stromverbrauch für mobile Geräte, AIoT und eingebettete Systeme

Produktbeschreibung

PRODUKTOVERSICHT

Der M321R8GA0EB2-CWM ist ein 8-Gb-LPDDR5-Mobil-DRAM von Samsung mit Geschwindigkeiten von bis zu 6400 Mbps. Im Vergleich zu LPDDR4X bietet LPDDR5 deutlich höhere Bandbreite, reduzierte Latenzzeiten und einen niedrigeren Energieverbrauch, wodurch es ideal für fortschrittliche Mobilplattformen, KI-Inferenzaufgaben, Kamerabildverarbeitungspipelines und Multimedia-Verarbeitung ist.

Als Teil der neuesten LPDDR5-Generation von Samsung gewährleistet dieses Bauteil eine überlegene Effizienz und Stabilität in leistungsstarken, batterieabhängigen und eingebetteten KI-/IoT-Anwendungen.

Hauptmerkmale

Samsung LPDDR5 DRAM der nächsten Generation
8 Gb (1 GB) Speicherdichte
Datenrate von bis zu 6400 Mbps
Ultra-spararchitektur mit DVS und Tiefschlafmodi
Verbesserte Bandbreite und reduzierte Latenz im Vergleich zu LPDDR4X
Geeignet für KI-Verarbeitung, Bildgebung und 5G-Anwendungen
Kompaktes FBGA-Gehäuse mit hoher Zuverlässigkeit
Kompatibel mit gängigen mobilen SoCs und AIoT-SoCs

Anwendungsbereiche

5G-Smartphones und mobile Geräte
AIoT-Edge-Computing-Systeme
Hochleistungskamera-ISP und Vision-Module
AR/VR-Tragbare Geräte
Industrielle Embedded-Plattformen
Automotive-IVI-/ADAS-Subsysteme
Multimedia-SoCs mit hoher Bandbreite

Wichtige Spezifikationen

Artikel	Spezifikation
Speichertypen	LPDDR5
Dichte	8 Gb (1 GB)
Datenrate	Bis zu 6400 Mbps
Organisation	x16 / x32 (je nach Variante)
Betriebsspannung	LPDDR5 Energiesparmodus
Verpackung	FBGA (CWM)
Hersteller	Samsung
Anwendungsklasse	Consumer / Industrie (je nach Version)

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