M321R8GA0EB2-CWM | Samsung 8 Гбит LPDDR5 DRAM | Высокоскоростная энергоэффективная мобильная память

Обзор продукта

M321R8GA0EB2-CWM — это 8 Гбит мобильная память LPDDR5 DRAM от Samsung с поддержкой скорости до 6400 Мбит/с. По сравнению с LPDDR4X, LPDDR5 обеспечивает значительно более высокую пропускную способность, снижает задержки и потребление энергии, что делает её идеальной для передовых мобильных платформ, задач ИИ-вывода, конвейеров обработки изображений с камер и мультимедийной обработки.

Будучи частью новейшего поколения LPDDR5 от Samsung, данное устройство гарантирует превосходную эффективность и стабильность в высокопроизводительных, чувствительных к питанию и встроенных приложениях ИИ/Интернета вещей.

Ключевые особенности

• Следующее поколение оперативной памяти LPDDR5 от Samsung
• плотность 8 Гбит (1 ГБ)
• Скорость передачи данных до 6400 Мбит/с
• Архитектура с ультранизким энергопотреблением с DVS и режимами глубокого сна
• Улучшенная пропускная способность и сниженные задержки по сравнению с LPDDR4X
• Подходит для обработки ИИ, визуализации и приложений 5G
• Компактный корпус с высокой надежностью FBGA
• Совместим с основными мобильными SoC и SoC для искусственного интеллекта в вещах

Области применения

• смартфоны и мобильные устройства с поддержкой 5G
• Системы вычислений на периферии AIoT
• Модули ISP высокопроизводительных камер и системы машинного зрения
• Носимые устройства AR/VR
• Промышленные встраиваемые платформы
• Автомобильные системы IVI / ADAS
• Мультимедийные SoC с высокой пропускной способностью

Ключевые характеристики

Запрос котировки

Чтобы запросить цену на M321R8GA0EB2-CWM — включая наличие, сроки поставки, минимальный объем заказа, данные о партии, технический паспорт или рекомендации по замене — отправьте RFQ.

Мы поддерживаем разовую поставку, обеспечение дефицитных компонентов, комплектацию BOM и долгосрочное производственное снабжение.