M321R8GA0EB2-CWM

DRAM LPDDR5 Generasi Baharu Berkelajuan Tinggi, Kuasa Rendah untuk Peranti Mudah Alih, AIoT, dan Sistem Terbenam

Penerangan Produk

Gambaran Produk

M321R8GA0EB2-CWM adalah DRAM mudah alih LPDDR5 8Gb dari Samsung, yang memberikan kelajuan hingga 6400Mbps. Berbanding LPDDR4X, LPDDR5 menyediakan lebar jalur yang jauh lebih tinggi, latensi yang dikurangkan, dan penggunaan kuasa yang lebih rendah, menjadikannya ideal untuk platform mudah alih canggih, beban kerja inferens AI, paip pengimejan kamera, dan pemprosesan multimedia.

Sebagai sebahagian daripada generasi terbaru LPDDR5 dari Samsung, peranti ini memastikan kecekapan dan kestabilan unggul merentasi aplikasi berprestasi tinggi, sensitif bateri, dan AI/IoT terbenam.

Ciri-ciri Utama

DRAM LPDDR5 generasi seterusnya dari Samsung
kepadatan 8Gb (1GB)
Kadar data sehingga 6400Mbps
Seni bina ultra-rendah kuasa dengan mod DVS & tidur dalam
Lebar jalur dipertingkatkan dan latensi dikurangkan berbanding LPDDR4X
Sesuai untuk pemprosesan AI, pencitraan, aplikasi 5G
Pakej FBGA padat berprestasi tinggi
Serasi dengan SoC utama untuk peranti mudah alih dan AIoT

Medan aplikasi

smartfon 5G dan peranti mudah alih
Sistem pengkomputeran tepi AIoT
Modul ISP kamera dan penglihatan berprestasi tinggi
Peranti boleh pakai AR/VR
Platform tertanam industri
Sistem IVI / ADAS automotif
SoC multimedia berlebar jalur tinggi

Spesifikasi Utama

Item	Spesifikasi
Jenis memori	LPDDR5
Ketumpatan	8Gb (1GB)
Kadar data	Sehingga 6400Mbps
Organisasi	x16 / x32 (bergantung kepada varian)
Voltan Kerja	Mod kuasa rendah LPDDR5
Pakej	FBGA (CWM)
Pengeluar	Samsung
Gred Aplikasi	Pengguna / Perindustrian (bergantung kepada versi)

Permintaan Sebutharga

Untuk meminta harga bagi M321R8GA0EB2-CWM—termasuk ketersediaan, masa penghantaran, kuantiti pesanan minimum (MOQ), butiran lot, datasheet, atau cadangan silang—sila kemukakan RFQ.

Kami menyokong bekalan spot, sumber kekurangan, kitting BOM, dan bekalan pengeluaran jangka panjang.