M321R8GA0EB2-CWM | Samsung 8Gb LPDDR5 DRAM | High-Speed Low-Power Mobile Memory

Преглед производа

M321R8GA0EB2-CWM је 8Gb LPDDR5 мобилни DRAM од Samsung, који остварује брзине до 6400Mbps. У поређењу са LPDDR4X, LPDDR5 обезбеђује знатно већу пропусну ширину, смањену латенцију и нижу потрошњу енергије, што га чини идеалним за напредне мобилне платформе, AI процесе закључивања, имплементацију слика са камера и обраду мултимедија.

Као део најновије генерације Samsung LPDDR5, овај уређај осигурава врхунску ефикасност и стабилност у раду напорних, батеријом осетљивих и уграђених AI/IoT апликација.

Кључне карактеристике

• Samsung следеће генерације LPDDR5 DRAM
• густина од 8Gb (1GB)
• Брзина података до 6400Mbps
• Архитектура са врло ниском потрошњом енергије са DVS и дубоким спавањем
• Побољшана пропусна ширина и смањена латенција у односу на LPDDR4X
• Погодно за обраду вештачке интелигенције, обраду слика и 5G примене
• Високопоуздан компактни пакет FBGA
• Компатибилно са главним мобилним SoC и AIoT SoC чиповима

Поља примене

• 5G смартфони и мобилни уређаји
• AIoT sistemi za obradu na ivici mreže
• Високоперформантни камера ISP и модули за вид
• AR/VR носиви уређаји
• Индустријски уграђени платформи
• Аутомобилски IVI / ADAS потсистеми
• Мултимедијални SoC чипови са високим пропусним опсегом

Кључне спецификације

Захтев за понуду

Да бисте затражили цену за M321R8GA0EB2-CWM — укључујући доступност, рок испоруке, минималну количину наруџбе, детаље лота, технички лист или препоручене алтернативе — поднесите RFQ захтев.

Подржавамо тренутну испоруку, набавку у случају недостатка, комплетовање БОМ листе и дугорочну испоруку за производњу.