16 Гб DDR5 ×8 высокопроизводительная DRAM для серверов, систем искусственного интеллекта и платформ следующего поколения для центров обработки данных.
Обзор продукта
K4RAH086VB-MCWE — это 16 Гб DDR5 SDRAM от Samsung, выполненная по схеме 2G × 8 и полностью соответствующая стандартам JEDEC DDR5. Работает при напряжении 1,1 В, обеспечивает более высокую пропускную способность, лучшую задержку и повышенную эффективность по сравнению с DDR4. Благодаря интегрированному PMIC и ECC на кристалле повышается надёжность и стабильность питания, что делает её идеальной для серверов, ускорителей ИИ, центров обработки данных и промышленных вычислительных платформ.
Ключевые особенности
Применения
Технические характеристики
| Параметры | Значение |
| Плотность | 16 Гбит (2G × 8) |
| Скорость передачи данных | 5600 Мбит/с |
| VDD | 1,1 В ± 0,05 В |
| Исправление ошибок | ECC на кристалле |
| PMIC | Интегрированный PMIC |
| Упаковка | 96-выводный FBGA |
| Размер | 9 × 8 × 1,2 мм |
| Архитектура | 8 банков × 2 × 32-бит |
| Диапазон температур | -40 °C ~ +95 °C |
| Режим питания | Автоматическое обновление / Глубокий сон |
| Интерфейс | POD_11 |
Запрос котировки
Для получения актуальных данных о наличии на складе, ценах и сроках поставки K4RAH086VB-MCWE укажите в запросе количество (Qty), требуемый срок поставки и целевую цену. Наша команда закупок оперативно ответит с оптимизированной ценой, поддержкой комплектации BOM, вариантами срочной поставки и программами складских запасов.
EN
