K4RAH086VB-MCWE

dRAM DDR5 ×8 16Gb berkinerja tinggi untuk server, sistem inferensi AI, dan platform pusat data generasi berikutnya.

Deskripsi Produk

Ikhtisar Produk

K4RAH086VB-MCWE adalah DDR5 SDRAM 16Gb dari Samsung, dibangun dengan organisasi 2G × 8 dan sepenuhnya sesuai standar JEDEC DDR5. Beroperasi pada tegangan 1,1V, menawarkan bandwidth lebih tinggi, latensi lebih baik, serta efisiensi yang ditingkatkan dibandingkan DDR4. Dengan PMIC terintegrasi dan ECC pada chip, meningkatkan keandalan dan stabilitas daya — menjadikannya ideal untuk server, akselerator AI, pusat data, dan platform komputasi industri.

Fitur Utama

SDRAM DDR5 sesuai standar JEDEC
Mendukung 5600 Mbps (DDR5-5600)
Beroperasi pada 1,1V ± 0,05V untuk efisiensi energi yang lebih baik
PMIC terintegrasi untuk manajemen daya lokal
ECC pada chip untuk koreksi kesalahan canggih
Arsitektur dual channel 32-bit untuk throughput lebih tinggi
Kemampuan suhu lebar untuk lingkungan industri dan server
FBGA 96-bola kompak untuk pemasangan yang stabil dan kualitas sinyal

Aplikasi

Server pusat data
Akselerator inferensi AI dan pembelajaran mendalam
Komputasi kinerja tinggi (HPC)
Infrastruktur jaringan dan telekomunikasi
Komputasi tertanam industri

Spesifikasi Teknis

Parameter	Nilai
Kepadatan	16 Gb (2G × 8)
Tingkat data	5600 Mbps
VDD	1,1V ± 0,05V
Koreksi Kesalahan	ECC pada die
PMIC	PMIC terintegrasi
Paket	96-Ball FBGA
Dimensi	9 × 8 × 1,2 mm
Arsitektur	8 Bank × 2 × 32-bit
Rentang suhu	-40°C ~ +95°C
Mode daya	Auto-refresh / Deep Sleep
Antarmuka	POD_11

Permintaan penawaran harga

Untuk stok, harga, dan waktu tunggu real-time untuk K4RAH086VB-MCWE, harap sertakan Jumlah (Qty), Waktu Tunggu yang Dibutuhkan, dan Harga Target dalam RFQ. Tim pengadaan kami akan segera membalas dengan penawaran harga yang dioptimalkan, dukungan perakitan BOM, opsi pasokan spot, serta program persediaan.