K4RAH086VB-MCWE

sunucular, yapay zeka çıkarım sistemleri ve nesil sonraki veri merkezi platformları için 16Gb DDR5 ×8 yüksek performanslı DRAM.

Ürün Açıklaması

Ürün Genel Bakış

K4RAH086VB-MCWE, 2G × 8 organizasyonuna sahip, JEDEC DDR5 standartlarına tam uyumlu bir Samsung 16Gb DDR5 SDRAM'dir. 1.1V'de çalışan bu ürün, DDR4'e kıyasla daha yüksek bant genişliği, daha iyi gecikme ve artan verimlilik sunar. Entegre PMIC ve die içi ECC ile güvenilirliği ve güç kararlılığı artırılmıştır ve bu da onu sunucular, AI hızlandırıcılar, veri merkezleri ve endüstriyel hesaplama platformları için ideal hale getirir.

Temel Özellikler

JEDEC uyumlu DDR5 SDRAM
5600 Mbps (DDR5-5600) desteği
Geliştirilmiş enerji verimliliği için 1.1V ± 0.05V'de çalışır
Yerel güç yönetimini sağlayan entegre PMIC
Gelişmiş hata düzeltmesi için die içi ECC
Daha yüksek veri aktarım hızı için çift 32-bit kanal mimarisi
Endüstriyel ve sunucu ortamları için geniş sıcaklık aralığı
Sabit montaj ve sinyal kalitesi için kompakt 96-pin FBGA

Uygulamalar

Veri merkezi sunucuları
AI çıkarımı ve derin öğrenme hızlandırıcıları
Yüksek performanslı hesaplama (HPC)
Ağ ve telekom altyapısı
Endüstriyel gömülü bilgi işlem

Teknik özellikler

Parametre	Değer
Yoğunluk	16 Gb (2G × 8)
Veri oranı	5600 Mbps
VDD	1.1V ± 0.05V
Hata düzeltmesi	Yonga üzerinde ECC
Pmic	Entegre PMIC
Paketleme	96-Ball FBGA
Boyut	9 × 8 × 1,2 mm
Mimari	8 Banka × 2 × 32-bit
Sıcaklık Aralığı	-40°C ~ +95°C
Güç modu	Otomatik yenileme / Derin uyku
Arayüz	POD_11

Teklif Talebi

K4RAH086VB-MCWE için gerçek zamanlı stok, fiyat ve teslim süresi bilgisi almak üzere LTF'nize Miktar (Adet), Gerekli Teslim Süresi ve Hedef Fiyatınızı ekleyin. Satın alma ekibimiz optimize edilmiş fiyatlar, BOM kitleme desteği, nakit temin olanakları ve envanter programlarıyla hızlı bir şekilde yanıt verecektir.