K4RAH086VB-MCWE

dRAM de alto rendimiento de 16 GB DDR5 ×8 para servidores, sistemas de inferencia de IA y plataformas de centros de datos de próxima generación.

Descripción del Producto

Descripción del producto

K4RAH086VB-MCWE es un SDRAM DDR5 de 16 Gb de Samsung, construido con una organización de 2G × 8 y completamente compatible con los estándares JEDEC DDR5. Funcionando a 1.1V, ofrece mayor ancho de banda, mejor latencia y mayor eficiencia en comparación con DDR4. Con un PMIC integrado y ECC en el chip, mejora la confiabilidad y estabilidad eléctrica, lo que lo hace ideal para servidores, aceleradores de IA, centros de datos y plataformas de computación industrial.

Las características clave

SDRAM DDR5 conforme a JEDEC
Soporta 5600 Mbps (DDR5-5600)
Funciona a 1.1V ± 0.05V para una mejor eficiencia energética
PMIC integrado para gestión local de energía
ECC en el chip para corrección avanzada de errores
Arquitectura de canal dual de 32 bits para mayor rendimiento
Amplia capacidad de temperatura para entornos industriales y de servidores
FBGA compacto de 96 bolas para montaje estable y calidad de señal

Aplicaciones

Servidores para centros de datos
Aceleradores de inferencia de IA y aprendizaje profundo
Computación de alto rendimiento (HPC)
Infraestructura de redes y telecomunicaciones
Computación embebida industrial

Especificaciones técnicas

Parámetro	Valor
Densidad	16 Gb (2G × 8)
Tasa de datos	5600 Mbps
VDD	1,1 V ± 0,05 V
Corrección de errores	ECC integrado
PMIC	PMIC integrado
Paquete	fBGA de 96 bolas
Dimensión	9 × 8 × 1,2 mm
Arquitectura	8 bancos × 2 × 32 bits
Rango de temperatura	-40°C ~ +95°C
Modo de alimentación	Auto-refresco / Suspensión profunda
Interfaz	POD_11

Solicitud de cotización

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