K4RAH086VB-MCWE

16 Gb DDR5 ×8 hoogpresterende DRAM voor servers, AI-inferentiesystemen en datacenterplatforms van de volgende generatie.

Productomschrijving

Productoverzicht

K4RAH086VB-MCWE is een 16 Gb DDR5 SDRAM van Samsung, gebouwd op basis van een 2G × 8-organisatie en volledig conform de JEDEC DDR5-standaarden. Met een bedrijfsspanning van 1,1 V biedt het hogere bandbreedte, betere latentie en verbeterde efficiëntie in vergelijking met DDR4. Dankzij de geïntegreerde PMIC en on-die ECC wordt de betrouwbaarheid en stroomstabiliteit verbeterd, waardoor het ideaal is voor servers, AI-acceleratoren, datacenters en industriële rekenplatforms.

Belangrijkste Kenmerken

DDR5 SDRAM conform JEDEC
Ondersteunt 5600 Mbps (DDR5-5600)
Werkspanning van 1,1 V ± 0,05 V voor verbeterde energie-efficiëntie
Geïntegreerde PMIC voor lokale stroombeheersing
On-die ECC voor geavanceerde foutcorrectie
Dubbele 32-bit kanaalarchitectuur voor hogere doorvoer
Brede temperatuurbereik voor industriële en serversystemen
Compacte 96-ball FBGA voor stabiele montage en signaalkwaliteit

Toepassingen

Datacenter-servers
AI-inferentie en deep learning versnellers
High-performance computing (HPC)
Netwerk- en telecominfrastructuur
Industriële embedded computing

Technische specificaties

Parameter	Waarde
Dichtheid	16 Gb (2G × 8)
Gegevenspercentage	5600 Mbps
VDD	1,1 V ± 0,05 V
Foutcorrectie	On-die ECC
PMIC	Geïntegreerde PMIC
Verpakking	96-Ball FBGA
Afmeting	9 × 8 × 1,2 mm
Architectuur	8 Bank × 2 × 32-bit
Temperatuurbereik	-40°C ~ +95°C
Vermogensmodus	Auto-refresh / Deep Sleep
Interface	POD_11

Offerteaanvraag

Voor actuele voorraad, prijzen en levertijd van K4RAH086VB-MCWE, gelieve uw Aantal (Qty), Gewenste Levertijd en Doelprijs op te nemen in de aanvraag. Ons inkoopteam reageert onmiddellijk met geoptimaliseerde prijzen, BOM-kittingondersteuning, spotleveringsopties en voorraadprogramma's.