16 Gb DDR5 ×8 hoogpresterende DRAM voor servers, AI-inferentiesystemen en datacenterplatforms van de volgende generatie.
Productoverzicht
K4RAH086VB-MCWE is een 16 Gb DDR5 SDRAM van Samsung, gebouwd op basis van een 2G × 8-organisatie en volledig conform de JEDEC DDR5-standaarden. Met een bedrijfsspanning van 1,1 V biedt het hogere bandbreedte, betere latentie en verbeterde efficiëntie in vergelijking met DDR4. Dankzij de geïntegreerde PMIC en on-die ECC wordt de betrouwbaarheid en stroomstabiliteit verbeterd, waardoor het ideaal is voor servers, AI-acceleratoren, datacenters en industriële rekenplatforms.
Belangrijkste Kenmerken
Toepassingen
Technische specificaties
| Parameter | Waarde |
| Dichtheid | 16 Gb (2G × 8) |
| Gegevenspercentage | 5600 Mbps |
| VDD | 1,1 V ± 0,05 V |
| Foutcorrectie | On-die ECC |
| PMIC | Geïntegreerde PMIC |
| Verpakking | 96-Ball FBGA |
| Afmeting | 9 × 8 × 1,2 mm |
| Architectuur | 8 Bank × 2 × 32-bit |
| Temperatuurbereik | -40°C ~ +95°C |
| Vermogensmodus | Auto-refresh / Deep Sleep |
| Interface | POD_11 |
Offerteaanvraag
Voor actuele voorraad, prijzen en levertijd van K4RAH086VB-MCWE, gelieve uw Aantal (Qty), Gewenste Levertijd en Doelprijs op te nemen in de aanvraag. Ons inkoopteam reageert onmiddellijk met geoptimaliseerde prijzen, BOM-kittingondersteuning, spotleveringsopties en voorraadprogramma's.