16 GB pamięci DRAM DDR5 ×8 o wysokiej wydajności dla serwerów, systemów inferencji AI oraz platform centrów danych następnej generacji.
Przegląd produktu
K4RAH086VB-MCWE to pamięć 16Gb DDR5 SDRAM firmy Samsung, wykonana w organizacji 2G × 8 i w pełni zgodna ze standardami JEDEC DDR5. Działająca przy napięciu 1,1 V oferuje wyższą przepustowość, lepsze opóźnienia i poprawioną efektywność w porównaniu do DDR4. Dzięki zintegrowanemu PMIC oraz korekcji błędów ECC na krzemie zapewnia większą niezawodność i stabilność zasilania — idealna dla serwerów, akceleratorów AI, centrów danych oraz przemysłowych platform obliczeniowych.
Kluczowe cechy
Zastosowania
Specyfikacje techniczne
| Parametr | Wartość |
| Gęstość | 16 GB (2G × 8) |
| Wskaźnik danych | 5600 Mbps |
| VDD | 1,1 V ± 0,05 V |
| Poprawa błędu | ECC wbudowane w krzem |
| PMIC | Zintegrowany PMIC |
| Opakowanie | 96-Ball FBGA |
| Wymiary | 9 × 8 × 1,2 mm |
| Architektura | 8 banków × 2 × 32-bitowe |
| Zakres temperatur | -40°C ~ +95°C |
| Tryb zasilania | Automatyczne odświeżanie / Głębsze uśpienie |
| Interfejs | POD_11 |
Prośba o wycenę
Aby uzyskać aktualne dane dotyczące stanu magazynowego, cen i czasu dostawy dla K4RAH086VB-MCWE, prosimy o podanie ilości (Qty), wymaganego czasu realizacji oraz docelowej ceny w formularzu RFQ. Nasz zespół zakupowy niezwłocznie wyśle ofertę z zoptymalizowanymi cenami, wsparciem w zakresie kompletowania listy materiałowej (BOM), opcjami dostaw hurtowych oraz programami zapasów.