K4RAH086VB-MCWE | Samsung DDR5 16Gb ×8 SDRAM | မြင့်မားသော အမြန်နှုန်းရှိ ဆာဗာနှင့် AI ပလက်ဖောင်းများအတွက် မီမိုရီ

ထုတ်ကုန်အကြောင်းအရာ

K4RAH086VB-MCWE သည် Samsung မှထုတ်လုပ်သော 2G × 8 အဖွဲ့အစည်းပေါ်တွင် တည်ဆောက်ထားပြီး JEDEC DDR5 စံနှုန်းများနှင့် အပြည့်အဝကိုက်ညီသော 16Gb DDR5 SDRAM တစ်ခုဖြစ်သည်။ 1.1V တွင် အလုပ်လုပ်ပြီး DDR4 ထက် ပိုမိုမြင့်မားသော bandwidth၊ ပိုကောင်းမွန်သော latency နှင့် ပိုမိုတိုးတက်သော စွမ်းဆောင်ရည်ရှိပါသည်။ ပါဝင်သော PMIC နှင့် on-die ECC တို့ဖြင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှုနှင့် ပါဝါတည်ငြိမ်မှုကို မြှင့်တင်ပေးထားပြီး ဆာဗာများ၊ AI accelerator များ၊ data center များနှင့် စက်မှုအသုံးပြု computing platform များအတွက် အကောင်းဆုံးဖြစ်စေပါသည်။

အဓိက လက္ခဏာများ

• JEDEC စံချိန်နှင့်ကိုက်ညီသော DDR5 SDRAM
• 5600 Mbps (DDR5-5600) ကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်
• စွမ်းအင် ထိရောက်မှု ပိုမိုကောင်းမွန်စေရန် 1.1V ± 0.05V တွင် လည်ပတ်ပါသည်
• ဒေသတွင်းပါဝါစီမံခန့်ခွဲမှုအတွက် ပါဝင်သော PMIC
• အဆင့်မြင့် အမှားပြင်ဆင်မှုအတွက် on-die ECC
• ပိုမိုမြင့်မားသော စွမ်းဆောင်ရည်အတွက် Dual 32-bit channel အဆောက်အအုံ
• စက်မှုလုပ်ငန်းနှင့်ဆာဗာပတ်ဝန်းကျင်အတွက် ကျယ်ပြန့်သော အပူချိန်စွမ်းရည်
• မှိန်းမှိန်းတိုင်းတာမှုနှင့် အချက်အလက်အရည်အသွေးအတွက် 96-ball FBGA အား စုံလင်စွာ တပ်ဆင်ထားခြင်း

အသုံးပြုမှုများ

• ဒေတာစင်တာဆာဗာများ
• AI အကဲခတ်မှုနှင့် နက်ရှိုင်းသော သင်ယူမှု စက်ပြောင်းများ
• စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် ကွန်ပျူတာ (HPC)
• ကွန်ရက်နှင့် တယ်လီကွန်းဖြန့်ဖြူးမှုစနစ်
• စက်မှုလုပ်ငန်းအတွင်း ပေါင်းစပ်တွက်ချက်မှုစနစ်

နည်းပညာဆိုင်ရာ သတ်မှတ်ချက်များ

အကြိုက်အချိန်တောင်းဆိုချက်

K4RAH086VB-MCWE အတွက် စတော့က်အခြေအနေ၊ စျေးနှုန်းများနှင့် ပေးပို့ရန် ကြာမြင့်ချိန်များကို သိရှိနိုင်ရန် မေးယူမှုဖောင် (RFQ) တွင် သင့်၏ ပမာဏ (Qty)၊ လိုအပ်သော ပေးပို့ရန်ကြာမြင့်ချိန်နှင့် စျေးနှုန်း ပါဝင်စေပါ။ ကျွန်ုပ်တို့၏ ဝယ်ယူရေးအဖွဲ့မှ စျေးနှုန်းအကောင်းဆုံးဖြင့် အမြန်ပြန်လည်ဖြေကြားပေးမည်ဖြစ်ပြီး BOM ကစီအုပ်စုဖွဲ့မှု ပံ့ပိုးမှု၊ ကုန်ပစ္စည်းရရှိမှု ရွေးချယ်စရာများနှင့် ကုန်ပစ္စည်းစာရင်းစီမံခန့်ခွဲမှု အစီအစဉ်များကို ပေးဆောင်ပါမည်။