K4RAH086VB-MCWE

dRAM با عملکرد بالا 16 گیگابیت DDR5 ×8 برای سرورها، سیستم‌های استنتاج هوش مصنوعی و پلتفرم‌های نسل بعدی مراکز داده.

توضیحات محصول

خلاصه ی محصول

K4RAH086VB-MCWE یک حافظه SDRAM 16Gb DDR5 از سامسونگ است که بر اساس سازمان‌دهی 2G × 8 ساخته شده و کاملاً مطابق با استانداردهای JEDEC DDR5 است. این حافظه با ولتاژ کاری 1.1 ولت، پهنای باند بالاتر، تأخیر بهتر و بهره‌وری افزایش‌یافته‌ای نسبت به DDR4 ارائه می‌دهد. با وجود PMIC یکپارچه و ECC روی تراشه، قابلیت اطمینان و پایداری توان را بهبود می‌بخشد و آن را به گزینه‌ای ایده‌آل برای سرورها، شتاب‌دهنده‌های هوش مصنوعی، مراکز داده و پلتفرم‌های محاسبات صنعتی تبدیل می‌کند.

ویژگی‌های کلیدی

حافظه SDRAM DDR5 مطابق با استاندارد JEDEC
پشتیبانی از 5600 مگابیت در ثانیه (DDR5-5600)
کار در ولتاژ 1.1 ولت با تلورانس ± 0.05 ولت برای بهبود کارایی انرژی
ماژول مدیریت توان یکپارچه (PMIC) برای مدیریت محلی برق
ECC روی تراشه برای اصلاح پیشرفته خطا
معماری دو کاناله 32 بیتی برای عملکرد بالاتر
قابلیت کار در دمای گسترده برای محیط‌های صنعتی و سرور
بسته‌بندی جمع‌وجال FBGA با 96 توپ برای نصب پایدار و کیفیت سیگنال

کاربردها

سرورهای مرکز داده
شتاب‌دهنده‌های استنتاج هوش مصنوعی و یادگیری عمیق
محاسبات با عملکرد بالا (HPC)
زیرساخت شبکه و مخابرات
محاسبات تعبیه‌شده صنعتی

مشخصات فنی

پارامتر	ارزش
تراکم	16 گیگابایت (2G × 8)
نرخ داده	5600 مگابیت بر ثانیه
VDD	1.1 ولت ± 0.05 ولت
اصلاح خطا	ECC در دیه
PMIC	PMIC یکپارچه
بسته	96-Ball FBGA
ابعاد	9 × 8 × 1.2 میلی‌متر
معماری	8 بانک × 2 × 32 بیت
محدوده دما	-40°C ~ +95°C
حالت توان	تازه‌سازی خودکار / حالت خواب عمیق
رابط	POD_11

درخواست قیمت‌گذاری

برای اطلاع از موجودی واقعی، قیمت‌گذاری و زمان تحویل مورد نیاز برای K4RAH086VB-MCWE، لطفاً مقدار درخواستی (Qty)، زمان تحویل مورد نیاز و قیمت هدف خود را در درخواست پیشنهاد قیمت (RFQ) وارد کنید. تیم خرید ما به سرعت با قیمت‌گذاری بهینه‌شده، پشتیبانی از کیت BOM، گزینه‌های تأمین فوری و برنامه‌های موجودی پاسخ خواهد داد.