dRAM با عملکرد بالا 16 گیگابیت DDR5 ×8 برای سرورها، سیستمهای استنتاج هوش مصنوعی و پلتفرمهای نسل بعدی مراکز داده.
خلاصه ی محصول
K4RAH086VB-MCWE یک حافظه SDRAM 16Gb DDR5 از سامسونگ است که بر اساس سازماندهی 2G × 8 ساخته شده و کاملاً مطابق با استانداردهای JEDEC DDR5 است. این حافظه با ولتاژ کاری 1.1 ولت، پهنای باند بالاتر، تأخیر بهتر و بهرهوری افزایشیافتهای نسبت به DDR4 ارائه میدهد. با وجود PMIC یکپارچه و ECC روی تراشه، قابلیت اطمینان و پایداری توان را بهبود میبخشد و آن را به گزینهای ایدهآل برای سرورها، شتابدهندههای هوش مصنوعی، مراکز داده و پلتفرمهای محاسبات صنعتی تبدیل میکند.
ویژگیهای کلیدی
کاربردها
مشخصات فنی
| پارامتر | ارزش |
| تراکم | 16 گیگابایت (2G × 8) |
| نرخ داده | 5600 مگابیت بر ثانیه |
| VDD | 1.1 ولت ± 0.05 ولت |
| اصلاح خطا | ECC در دیه |
| PMIC | PMIC یکپارچه |
| بسته | 96-Ball FBGA |
| ابعاد | 9 × 8 × 1.2 میلیمتر |
| معماری | 8 بانک × 2 × 32 بیت |
| محدوده دما | -40°C ~ +95°C |
| حالت توان | تازهسازی خودکار / حالت خواب عمیق |
| رابط | POD_11 |
درخواست قیمتگذاری
برای اطلاع از موجودی واقعی، قیمتگذاری و زمان تحویل مورد نیاز برای K4RAH086VB-MCWE، لطفاً مقدار درخواستی (Qty)، زمان تحویل مورد نیاز و قیمت هدف خود را در درخواست پیشنهاد قیمت (RFQ) وارد کنید. تیم خرید ما به سرعت با قیمتگذاری بهینهشده، پشتیبانی از کیت BOM، گزینههای تأمین فوری و برنامههای موجودی پاسخ خواهد داد.