K4RAH086VB-MCWE

16-Gb-DDR5-×8-Hochleistungs-DRAM für Server, KI-Inferenzsysteme und Plattformen der nächsten Generation für Rechenzentren.

Produktbeschreibung

PRODUKTOVERSICHT

K4RAH086VB-MCWE ist ein 16-Gb-DDR5-SDRAM von Samsung, aufgebaut nach der Organisation 2G × 8 und vollständig konform mit den JEDEC-DDR5-Standards. Bei einer Betriebsspannung von 1,1 V bietet es eine höhere Bandbreite, bessere Latenz und verbesserte Effizienz im Vergleich zu DDR4. Mit integriertem PMIC und On-Die-ECC erhöht es die Zuverlässigkeit und Stromstabilität – ideal für Server, KI-Beschleuniger, Rechenzentren und industrielle Computerplattformen.

Hauptmerkmale

JEDEC-konformer DDR5-SDRAM
Unterstützt 5600 Mbps (DDR5-5600)
Arbeitet bei 1,1 V ± 0,05 V für verbesserte Energieeffizienz
Integrierter PMIC für lokales Strommanagement
On-Die-ECC für fortschrittliche Fehlerkorrektur
Duale 32-Bit-Kanalarchitektur für höhere Durchsatzleistung
Breiter Temperaturbereich für industrielle und Server-Umgebungen
Kompaktes 96-poliges FBGA für sicheren Halt und gute Signalqualität

Anwendungen

Datencenter-Server
KI-Inferenz- und Deep-Learning-Beschleuniger
High-Performance Computing (HPC)
Netzwerk- und Telekommunikationsinfrastruktur
Industrielle Embedded-Computing-Anwendungen

Technische Spezifikationen

Parameter	Wert
Dichte	16 Gb (2G × 8)
Datenrate	5600 Mbps
VDD	1,1 V ± 0,05 V
Fehlerkorrektur	On-Die-ECC
Pmic	Integrierter PMIC
Verpackung	96-Ball FBGA
Abmessung	9 × 8 × 1,2 mm
Architektur	8 Bank × 2 × 32-Bit
Temperaturbereich	-40 °C ~ +95 °C
Betriebsart	Automatische Aktualisierung / Tiefer Schlaf
Schnittstelle	POD_11

Angebotsanfrage

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