16 Гб DDR5 ×8 високопродуктивна DRAM для серверів, систем штучного інтелекту та платформ наступного покоління для центрів обробки даних.
Огляд продукту
K4RAH086VB-MCWE — це 16-гігабітна DDR5 SDRAM від Samsung, виконана за архітектурою 2G × 8 і повністю сумісна зі стандартами JEDEC DDR5. З працює при напрузі 1,1 В, забезпечує вищу пропускну здатність, кращу затримку та підвищену ефективність у порівнянні з DDR4. Інтегрований PMIC і on-die ECC підвищують надійність і стабільність живлення, що робить її ідеальною для серверів, прискорювачів штучного інтелекту, центрів обробки даних і промислових обчислювальних платформ.
Основні особливості
Застосування
Технічні специфікації
| Параметр | Значення |
| Щільність | 16 Гб (2Г × 8) |
| Швидкість передачі даних | 5600 Мбіт/с |
| VDD | 1,1 В ± 0,05 В |
| Виправлення помилок | On-die ECC |
| PMIC | Інтегрований PMIC |
| Пакування | 96-Ball FBGA |
| Розмір | 9 × 8 × 1,2 мм |
| Архітектура | 8 банків × 2 × 32-біт |
| Температурний діапазон | -40°C ~ +95°C |
| Режим потужності | Автоматичне оновлення / Глибокий режим сну |
| Інтерфейс | POD_11 |
Запит на ціну
Для отримання актуальних даних про наявність на складі, ціни та терміни поставки K4RAH086VB-MCWE, будь ласка, вкажіть у запиті кількість (Qty), необхідний термін поставки та цільову ціну. Наша закупівельна команда швидко надішле оптимальні пропозиції щодо цін, підтримку комплектації BOM, варіанти оперативних поставок та програми зберігання запасів.