dRAM DDR5 de alto desempenho de 16 Gb ×8 para servidores, sistemas de inferência de IA e plataformas de próxima geração para centros de dados.
Visão geral do produto
O K4RAH086VB-MCWE é um SDRAM DDR5 de 16 Gb da Samsung, construído com organização 2G × 8 e totalmente compatível com os padrões JEDEC DDR5. Operando a 1,1 V, oferece maior largura de banda, melhor latência e eficiência aprimorada em comparação ao DDR4. Com PMIC integrado e ECC no chip, aumenta a confiabilidade e estabilidade de energia — tornando-o ideal para servidores, aceleradores de IA, centros de dados e plataformas de computação industrial.
Principais Características
Aplicações
Especificações Técnicas
| Parâmetro | Valor |
| Densidade | 16 Gb (2G × 8) |
| Taxa de dados | 5600 Mbps |
| VDD | 1,1 V ± 0,05 V |
| Correção de Erros | ECC no die |
| PMIC | PMIC integrado |
| Pacote | fBGA de 96 esferas |
| Dimensão | 9 × 8 × 1,2 mm |
| Arquitetura | 8 bancos × 2 × 32 bits |
| Faixa de temperatura | -40°C ~ +95°C |
| Modo de energia | Autoatualização / Modo de suspensão profunda |
| Interface | POD_11 |
Solicitação de Cotação
Para obter o estoque, preços e prazos de entrega em tempo real para K4RAH086VB-MCWE, inclua sua Quantidade (Qty), Prazo de Entrega Necessário e Preço Alvo na solicitação de cotação (RFQ). Nossa equipe de compras responderá prontamente com preços otimizados, suporte para montagem de BOM, opções de fornecimento imediato e programas de inventário.
EN
