K4RAH086VB-MCWE

16 Gb-os DDR5 ×8 nagy teljesítményű DRAM szerverekhez, AI következtető rendszerekhez és a következő generációs adatközponti platformokhoz.

Termékleírás

Termék áttekintése

A K4RAH086VB-MCWE egy 16 Gb-os, Samsung által gyártott DDR5 SDRAM, 2G × 8 felépítésben, teljes mértékben megfelel a JEDEC DDR5 szabványnak. 1,1 V-on működik, magasabb sávszélességet, jobb késleltetést és javított hatékonyságot nyújt a DDR4-hez képest. Az integrált PMIC és chipből származó ECC segítségével növeli a megbízhatóságot és az energiaellátás stabilitását – ideális választás kiszolgálók, AI gyorsítók, adatközpontok és ipari számítógépes platformok számára.

Főbb jellemzők

JEDEC-szabvány szerinti DDR5 SDRAM
Támogatja az 5600 Mbps (DDR5-5600) sebességet
1,1 V ± 0,05 V feszültségen működik a jobb energiahatékonyság érdekében
Integrált PMIC a helyi teljesítménymenedzsmenthez
Die-on ECC speciális hibajavításhoz
Dupla 32 bites csatornaarchitektúra nagyobb átviteli sebességhez
Széles hőmérséklet-tartomány ipari és szerverkörnyezetekhez
Kompakt, 96 lábas FBGA stabil rögzítéshez és jelminőséghez

Alkalmazások

Adatközponti kiszolgálók
AI következtetési és mélytanulásos gyorsítók
Nagy teljesítményű számítástechnika (HPC)
Hálózattechnikai és távközlési infrastruktúra
Ipari beágyazott számítástechnika

Műszaki specifikációk

Paraméter	Érték
Sűrűség	16 Gb (2G × 8)
Adatátviteli sebesség	5600 Mbps
VDD	1,1 V ± 0,05 V
Hibakorrekció	Die-beli ECC
PMIC	Integrált PMIC
Csomagolás	96-lábas FBGA
Méret	9 × 8 × 1,2 mm
Építészet	8 bank × 2 × 32 bites
Hőmérséklet tartomány	-40 °C ~ +95 °C
Energiaellátási mód	Automatikus frissítés / Mély alvóállapot
Felület	POD_11

Ajánlatkérés

A K4RAH086VB-MCWE valós idejű készletének, árának és lead time-jának megismerése érdekében kérjük, adja meg az Igényelt mennyiséget (Qty), a Szükséges lead time-t és a Célárat az ajánlatkérésben. Beszerzési csapatunk haladéktalanul válaszol majd optimalizált árazással, BOM készlet támogatással, azonnali beszerzési lehetőségekkel és készletprogramokkal.