K4RAH086VB-MCWE

16Gb DDR5 ×8 високоперформантни DRAM за сервере, системе за AI инференцу и платформе следеће генерације за центре података.

Опис производа

Преглед производа

K4RAH086VB-MCWE је 16Gb DDR5 SDRAM меморија од Samsung-a, направљена у организацији 2G × 8 и у потпуности у складу са JEDEC DDR5 стандардима. Ради на 1.1V и омогућава већу пропусну ширину, боље кашњење и побољшану ефикасност у односу на DDR4. Захваљујући интегрисаном PMIC-у и ECC-у унутар чипа, повећава се поузданост и стабилност напајања — што је идеално за сервере, AI акцелераторе, центре података и индустријске рачунарске платформе.

Кључне карактеристике

JEDEC-у складна DDR5 SDRAM
Подржава 5600 Mbps (DDR5-5600)
Radi na 1,1 V ± 0,05 V za poboljšanu energetsku efikasnost
Интегрисани PMIC за локално управљање напајањем
ECC на чипу за напредну корекцију грешака
Дупла 32-битна каналска архитектура за већу пропусност
Широк дијапазон радних температура за индустријске и серверске средине
Компактни 96-балонски FBGA за стабилну монтажу и квалитет сигнала

Примене

Сервери за центар података
Акцелератори за ИИ закључивање и дубоко учење
Рачунарство високих перформанси (HPC)
Мрежна и телекомуникациона инфраструктура
Индустријски уграђени рачунарство

Техничке спецификације

Параметри	Вредност
Плотност	16 ГБ (2Г × 8)
Процена података	5600 Мбитс
ВДД	1.1В ± 0,05В
Исправка грешке	ЕЦЦ на малу
ПМИЦ	Интегрисани ПМИЦ
Пакет	96-болова ФБГА
Димензија	9 × 8 × 1,2 mm
Архитектура	8 банка × 2 × 32-бит
Размај температуре	-40°C ~ +95°C
Мод напајања	Аутоматско освежавање / Дубоки спавање
Интерфејс	POD_11

Захтев за понуду

За тренутне залихе, цени и рокове испоруке за K4RAH086VB-MCWE, у ваш RFQ образац укључите количину (Qty), потребан рок испоруке и циљну цену. Наш тим за набавку ће брзо одговорити са оптимизованим понудама, подршком за комплетовање BOM листе, опцијама тренутне испоруке и програмима залиха.