전력 트랜지스터 | 고포워 GaN-on-SiC RF 트랜지스터 – JARON

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파워 트랜지스터

광대역 레이더, 통신 및 마이크로파 응용 분야에 최적화된 고효율, 고전력밀도 GaN 파워 트랜지스터입니다. +28V 전원 공급 시 최대 500W의 출력 전력을 제공하며, PAE는 55%에 달합니다.

제품 개요

JARON의 GaN 전력 트랜지스터는 최첨단 GaN-on-SiC 기술을 채택하여 높은 파손 전압, 열 안정성 및 선형 효율성을 구현합니다. 해당 소자는 0.8–7.4GHz 범위를 커버하며 우수한 광대역 이득과 고출력 성능을 제공합니다. 연속파(CW) 및 펄스 동작에 모두 적합하며, 열적으로 극한 환경에서도 뛰어난 신뢰성을 제공합니다.

   

응용 분야

  • 레이더 송신기 및 T/R 모듈
  • 전자전(EW) 전력 증폭 단계
  • 위성 통신 업링크 증폭기
  • 마이크로파 신호원 및 시험 장비
  • 산업용 및 과학용 RF 발생기

   

모델

주파수 범위(GHz)

이득 (dB)

출력 전력 (W)

PAE (%)

전원 공급 전압 (V)

패키지 또는 제품 치수 (mm)

GXPT4008

0.8~2

30

31

40

+28

28.00x20.00x1.75

GXPT4001

2.3~3.5

-

160

50

+28

23.60x15.40x2.20

GXPT4009

2.7~3.1

13

500

54

+28

24.00x17.40x5.00

GXPT4010

2.7~3.5

13

400

55

+48

24.00x17.40x5.00

GXPT4011

2.7~3.5

28

180

55

+28

25.00x14.00x2.00

GXPT4012

3.1~3.4

28

60

55

+28

24.50x17.40x4.70

GXPT4002

5.3~5.9

-

50

50

+28

8.00x8.00x1.60

GXPT4013

5.3~5.9

11

100

45

+28

24.00x17.40x5.00

GXPT4003

5.3~5.9

-

100

50

+28

24.00x17.40x5.00

GXPT4004

5.3~5.9

-

200

50

+28

24.00x17.40x5.00

GXPT4014

5.9~6.7

10

15

48

+28

21.00x12.90x4.50

GXPT4015

5.9~6.7

11

30

45

+28

21.00x12.90x4.50

GXPT4016

5.9~6.7

11

120

40

+28

24.00x17.40x5.00

GXPT4017

6.4~7.2

11

100

40

+28

24.00x17.40x5.00

GXPT4018

6.9~7.4

11

30

44

+28

24.00x17.40x5.00

GXPT4019

6.9~7.4

9

100

35

+28

24.00x17.40x5.00

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