Transistores de Potência GaN de alta eficiência e alta densidade de potência, otimizados para aplicações de radar, comunicação e micro-ondas em banda larga. Oferecem até 500 W de potência de saída com 55% de PAE sob alimentação de +28 V.
Visão geral do produto
Os transistores de potência GaN da JARON adotam tecnologia avançada GaN-on-SiC, permitindo alta tensão de ruptura, estabilidade térmica e eficiência linear. Os dispositivos cobrem a faixa de 0,8–7,4 GHz, oferecendo ganho de banda larga superior e alta potência de saída. Adequados para operação contínua (CW) e pulsada, esses transistores oferecem excelente confiabilidade térmica para sistemas em ambientes adversos.
Aplicações
Modelo |
Faixa de Frequência (GHz) |
Ganho (dB) |
Potência de Saída (W) |
PAE (%) |
Tensão de alimentação (V) |
Dimensões do Pacote ou Produto (mm) |
GXPT4008 |
0.8~2 |
30 |
31 |
40 |
+28 |
28.00x20.00x1.75 |
GXPT4001 |
2.3~3.5 |
- |
160 |
50 |
+28 |
23.60x15.40x2.20 |
GXPT4009 |
2.7~3.1 |
13 |
500 |
54 |
+28 |
24.00x17.40x5.00 |
GXPT4010 |
2.7~3.5 |
13 |
400 |
55 |
+48 |
24.00x17.40x5.00 |
GXPT4011 |
2.7~3.5 |
28 |
180 |
55 |
+28 |
25,00x14,00x2,00 |
GXPT4012 |
3.1~3.4 |
28 |
60 |
55 |
+28 |
24,50x17,40x4,70 |
GXPT4002 |
5.3~5.9 |
- |
50 |
50 |
+28 |
8,00x8,00x1,60 |
GXPT4013 |
5.3~5.9 |
11 |
100 |
45 |
+28 |
24.00x17.40x5.00 |
GXPT4003 |
5.3~5.9 |
- |
100 |
50 |
+28 |
24.00x17.40x5.00 |
GXPT4004 |
5.3~5.9 |
- |
200 |
50 |
+28 |
24.00x17.40x5.00 |
GXPT4014 |
5.9~6.7 |
10 |
15 |
48 |
+28 |
21,00x12,90x4,50 |
GXPT4015 |
5.9~6.7 |
11 |
30 |
45 |
+28 |
21,00x12,90x4,50 |
GXPT4016 |
5.9~6.7 |
11 |
120 |
40 |
+28 |
24.00x17.40x5.00 |
GXPT4017 |
6.4~7.2 |
11 |
100 |
40 |
+28 |
24.00x17.40x5.00 |
GXPT4018 |
6.9~7.4 |
11 |
30 |
44 |
+28 |
24.00x17.40x5.00 |
GXPT4019 |
6.9~7.4 |
9 |
100 |
35 |
+28 |
24.00x17.40x5.00 |
EN
