パワートランジスタ | 高出力GaN-on-SiC RFトランジスタ – JARON

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電力トランジスタ

広帯域レーダー、通信、マイクロ波用途に最適化された高効率、高出力密度GaNパワートランジスタ。+28V電源で55%のPAEを達成しながら、最大500Wの出力を提供します。

製品概要

JARONのGaNパワートランジスタは先進的なGaN-on-SiC技術を採用しており、高い耐圧、熱的安定性、および線形効率を実現しています。これらのデバイスは0.8~7.4GHzの範囲をカバーし、優れた広帯域利得と高出力性能を提供します。連続波(CW)およびパルス動作に適しており、過酷な環境条件下でのシステムにおいて卓越した熱的信頼性を備えています。

   

応用

  • レーダー送信機およびT/Rモジュール
  • 電子戦(EW)用パワーステージ
  • 衛星通信アップリンクアンプ
  • マイクロ波信号源および試験装置
  • 産業・科学用RF発振器

   

モデル

周波数範囲 (GHz)

利得(dB)

出力電力 (W)

PAE (%)

電源電圧 (V)

パッケージまたは製品寸法(mm)

GXPT4008

0.8~2

30

31

40

+28

28.00x20.00x1.75

GXPT4001

2.3~3.5

-

160

50

+28

23.60x15.40x2.20

GXPT4009

2.7~3.1

13

500

54

+28

24.00x17.40x5.00

GXPT4010

2.7~3.5

13

400

55

+48

24.00x17.40x5.00

GXPT4011

2.7~3.5

28

180

55

+28

25.00x14.00x2.00

GXPT4012

3.1~3.4

28

60

55

+28

24.50x17.40x4.70

GXPT4002

5.3~5.9

-

50

50

+28

8.00x8.00x1.60

GXPT4013

5.3~5.9

11

100

45

+28

24.00x17.40x5.00

GXPT4003

5.3~5.9

-

100

50

+28

24.00x17.40x5.00

GXPT4004

5.3~5.9

-

200

50

+28

24.00x17.40x5.00

GXPT4014

5.9~6.7

10

15

48

+28

21.00x12.90x4.50

GXPT4015

5.9~6.7

11

30

45

+28

21.00x12.90x4.50

GXPT4016

5.9~6.7

11

120

40

+28

24.00x17.40x5.00

GXPT4017

6.4~7.2

11

100

40

+28

24.00x17.40x5.00

GXPT4018

6.9~7.4

11

30

44

+28

24.00x17.40x5.00

GXPT4019

6.9~7.4

9

100

35

+28

24.00x17.40x5.00

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