Високоефективні транзистори GaN з високою густиною потужності, оптимізовані для широкосмугових радарів, систем зв'язку та мікрохвильових застосувань. Забезпечують вихідну потужність до 500 Вт із ККД 55% при напрузі живлення +28 В.
Огляд продукту
Силові транзистори JARON на основі передової технології GaN-on-SiC забезпечують високу напругу пробою, термічну стабільність та лінійну ефективність. Пристрої працюють у діапазоні 0,8–7,4 ГГц, забезпечуючи високий коефіцієнт підсилення в широкому смузі та високу вихідну потужність. Підходять для неперервного (CW) та імпульсного режимів роботи, ці транзистори відрізняються винятковою термічною надійністю в умовах жорсткого середовища.
Застосування
Модель |
Діапазон частот (ГГц) |
Посилення (дБ) |
Вихідна потужність (Вт) |
PAE (%) |
Напруга живлення (В) |
Габаритні розміри корпусу або продукту (мм) |
GXPT4008 |
0.8~2 |
30 |
31 |
40 |
+28 |
28.00x20.00x1.75 |
GXPT4001 |
2.3~3.5 |
- |
160 |
50 |
+28 |
23.60x15.40x2.20 |
GXPT4009 |
2.7~3.1 |
13 |
500 |
54 |
+28 |
24.00x17.40x5.00 |
GXPT4010 |
2.7~3.5 |
13 |
400 |
55 |
+48 |
24.00x17.40x5.00 |
GXPT4011 |
2.7~3.5 |
28 |
180 |
55 |
+28 |
25,00x14,00x2,00 |
GXPT4012 |
3.1~3.4 |
28 |
60 |
55 |
+28 |
24,50x17,40x4,70 |
GXPT4002 |
5.3~5.9 |
- |
50 |
50 |
+28 |
8,00x8,00x1,60 |
GXPT4013 |
5.3~5.9 |
11 |
100 |
45 |
+28 |
24.00x17.40x5.00 |
GXPT4003 |
5.3~5.9 |
- |
100 |
50 |
+28 |
24.00x17.40x5.00 |
GXPT4004 |
5.3~5.9 |
- |
200 |
50 |
+28 |
24.00x17.40x5.00 |
GXPT4014 |
5.9~6.7 |
10 |
15 |
48 |
+28 |
21.00x12.90x4.50 |
GXPT4015 |
5.9~6.7 |
11 |
30 |
45 |
+28 |
21.00x12.90x4.50 |
GXPT4016 |
5.9~6.7 |
11 |
120 |
40 |
+28 |
24.00x17.40x5.00 |
GXPT4017 |
6.4~7.2 |
11 |
100 |
40 |
+28 |
24.00x17.40x5.00 |
GXPT4018 |
6.9~7.4 |
11 |
30 |
44 |
+28 |
24.00x17.40x5.00 |
GXPT4019 |
6.9~7.4 |
9 |
100 |
35 |
+28 |
24.00x17.40x5.00 |
EN
