High-efficiency, high-power-density GaN Power Transistors na na-optimize para sa broadband radar, komunikasyon, at mga microwave application. Naghahatid ng hanggang 500 W output power na may 55% PAE sa ilalim ng +28 V na supply.
Pangkalahatang-ideya ng Produkto
Ang JARON GaN Power Transistors ay gumagamit ng napapanahong teknolohiyang GaN-on-SiC, na nagbibigay ng mataas na breakdown voltage, thermal stability, at linear efficiency. Saklaw ng mga device ang 0.8–7.4 GHz, na nag-aalok ng mahusay na broadband gain at mataas na power output. Angkop para sa CW at pulsed operation, ang mga transistor na ito ay nagtatampok ng kamangha-manghang thermal reliability para sa mahihirap na environmental system.
Mga Aplikasyon
Modelo |
Frequency Range (GHz) |
Kita (dB) |
Output na Lakas (W) |
PAE (%) |
Boltahe ng suplay ng kuryente (V) |
Mga Sukat ng Pakete o Produkto (mm) |
GXPT4008 |
0.8~2 |
30 |
31 |
40 |
+28 |
28.00x20.00x1.75 |
GXPT4001 |
2.3~3.5 |
- |
160 |
50 |
+28 |
23.60x15.40x2.20 |
GXPT4009 |
2.7~3.1 |
13 |
500 |
54 |
+28 |
24.00x17.40x5.00 |
GXPT4010 |
2.7~3.5 |
13 |
400 |
55 |
+48 |
24.00x17.40x5.00 |
GXPT4011 |
2.7~3.5 |
28 |
180 |
55 |
+28 |
25.00x14.00x2.00 |
GXPT4012 |
3.1~3.4 |
28 |
60 |
55 |
+28 |
24.50x17.40x4.70 |
GXPT4002 |
5.3~5.9 |
- |
50 |
50 |
+28 |
8.00x8.00x1.60 |
GXPT4013 |
5.3~5.9 |
11 |
100 |
45 |
+28 |
24.00x17.40x5.00 |
GXPT4003 |
5.3~5.9 |
- |
100 |
50 |
+28 |
24.00x17.40x5.00 |
GXPT4004 |
5.3~5.9 |
- |
200 |
50 |
+28 |
24.00x17.40x5.00 |
GXPT4014 |
5.9~6.7 |
10 |
15 |
48 |
+28 |
21.00x12.90x4.50 |
GXPT4015 |
5.9~6.7 |
11 |
30 |
45 |
+28 |
21.00x12.90x4.50 |
GXPT4016 |
5.9~6.7 |
11 |
120 |
40 |
+28 |
24.00x17.40x5.00 |
GXPT4017 |
6.4~7.2 |
11 |
100 |
40 |
+28 |
24.00x17.40x5.00 |
GXPT4018 |
6.9~7.4 |
11 |
30 |
44 |
+28 |
24.00x17.40x5.00 |
GXPT4019 |
6.9~7.4 |
9 |
100 |
35 |
+28 |
24.00x17.40x5.00 |
EN
