Transistores de potencia GaN de alta eficiencia y alta densidad de potencia, optimizados para aplicaciones de radar, comunicaciones y microondas de banda ancha. Ofrecen hasta 500 W de potencia de salida con una PAE del 55 % bajo una alimentación de +28 V.
Descripción del producto
Los transistores de potencia JARON en GaN adoptan la tecnología avanzada GaN-sobre-SiC, lo que permite un alto voltaje de ruptura, estabilidad térmica y eficiencia lineal. Los dispositivos cubren de 0,8 a 7,4 GHz, ofreciendo una ganancia de banda ancha superior y alta potencia de salida. Adecuados para operación continua (CW) y pulsada, estos transistores ofrecen una fiabilidad térmica excepcional para sistemas en entornos exigentes.
Aplicaciones
Modelo |
Rango de frecuencia (GHz) |
Ganancia (dB) |
Potencia de Salida (W) |
PAE (%) |
Tensión de alimentación (V) |
Dimensiones del paquete o producto (mm) |
GXPT4008 |
0.8~2 |
30 |
31 |
40 |
+28 |
28.00x20.00x1.75 |
GXPT4001 |
2.3~3.5 |
- |
160 |
50 |
+28 |
23.60x15.40x2.20 |
GXPT4009 |
2.7~3.1 |
13 |
500 |
54 |
+28 |
24.00x17.40x5.00 |
GXPT4010 |
2.7~3.5 |
13 |
400 |
55 |
+48 |
24.00x17.40x5.00 |
GXPT4011 |
2.7~3.5 |
28 |
180 |
55 |
+28 |
25.00x14.00x2.00 |
GXPT4012 |
3.1~3.4 |
28 |
60 |
55 |
+28 |
24.50x17.40x4.70 |
GXPT4002 |
5.3~5.9 |
- |
50 |
50 |
+28 |
8.00x8.00x1.60 |
GXPT4013 |
5.3~5.9 |
11 |
100 |
45 |
+28 |
24.00x17.40x5.00 |
GXPT4003 |
5.3~5.9 |
- |
100 |
50 |
+28 |
24.00x17.40x5.00 |
GXPT4004 |
5.3~5.9 |
- |
200 |
50 |
+28 |
24.00x17.40x5.00 |
GXPT4014 |
5.9~6.7 |
10 |
15 |
48 |
+28 |
21.00x12.90x4.50 |
GXPT4015 |
5.9~6.7 |
11 |
30 |
45 |
+28 |
21.00x12.90x4.50 |
GXPT4016 |
5.9~6.7 |
11 |
120 |
40 |
+28 |
24.00x17.40x5.00 |
GXPT4017 |
6.4~7.2 |
11 |
100 |
40 |
+28 |
24.00x17.40x5.00 |
GXPT4018 |
6.9~7.4 |
11 |
30 |
44 |
+28 |
24.00x17.40x5.00 |
GXPT4019 |
6.9~7.4 |
9 |
100 |
35 |
+28 |
24.00x17.40x5.00 |
EN
