Vysoce účinné GaN výkonové tranzistory s vysokou hustotou výkonu optimalizované pro širokopásmové radarové, komunikační a mikrovlnné aplikace. Dodávají výstupní výkon až 500 W s 55% PAE při napájení +28 V.
Přehled produktu
JARONovy GaN výkonové tranzistory využívají pokročilou technologii GaN-na-SiC, která umožňuje vysoké průrazné napětí, tepelnou stabilitu a lineární účinnost. Zařízení pokrývají rozsah 0,8–7,4 GHz, poskytují vynikající širokopásmové zesílení a vysoký výkon. Tyto tranzistory jsou vhodné pro spojitý (CW) i pulzní provoz a nabízejí vynikající tepelnou spolehlivost pro systémy v náročném prostředí.
Použití
Model |
Kmitočtové pásmo (GHz) |
Zisk (dB) |
Výstupní výkon (W) |
PAE (%) |
Napájecí napětí (V) |
Rozměry balení nebo výrobku (mm) |
GXPT4008 |
0.8~2 |
30 |
31 |
40 |
+28 |
28,00x20,00x1,75 |
GXPT4001 |
2.3~3.5 |
- |
160 |
50 |
+28 |
23,60x15,40x2,20 |
GXPT4009 |
2.7~3.1 |
13 |
500 |
54 |
+28 |
24,00x17,40x5,00 |
GXPT4010 |
2.7~3.5 |
13 |
400 |
55 |
+48 |
24,00x17,40x5,00 |
GXPT4011 |
2.7~3.5 |
28 |
180 |
55 |
+28 |
25,00x14,00x2,00 |
GXPT4012 |
3.1~3.4 |
28 |
60 |
55 |
+28 |
24,50x17,40x4,70 |
GXPT4002 |
5.3~5.9 |
- |
50 |
50 |
+28 |
8,00x8,00x1,60 |
GXPT4013 |
5.3~5.9 |
11 |
100 |
45 |
+28 |
24,00x17,40x5,00 |
GXPT4003 |
5.3~5.9 |
- |
100 |
50 |
+28 |
24,00x17,40x5,00 |
GXPT4004 |
5.3~5.9 |
- |
200 |
50 |
+28 |
24,00x17,40x5,00 |
GXPT4014 |
5.9~6.7 |
10 |
15 |
48 |
+28 |
21,00x12,90x4,50 |
GXPT4015 |
5.9~6.7 |
11 |
30 |
45 |
+28 |
21,00x12,90x4,50 |
GXPT4016 |
5.9~6.7 |
11 |
120 |
40 |
+28 |
24,00x17,40x5,00 |
GXPT4017 |
6.4~7.2 |
11 |
100 |
40 |
+28 |
24,00x17,40x5,00 |
GXPT4018 |
6.9~7.4 |
11 |
30 |
44 |
+28 |
24,00x17,40x5,00 |
GXPT4019 |
6.9~7.4 |
9 |
100 |
35 |
+28 |
24,00x17,40x5,00 |
EN
