Aukšto efektyvumo, didelės galios tankio GaN galios tranzistoriai, optimizuoti plačiajuosčiams radarams, ryšiui ir mikrobangų taikymams. Teikia iki 500 W išvesties galios su 55 % PAE esant +28 V maitinimui.
Produkto apžvalga
JARON GaN galios tranzistoriai naudoja pažangią GaN-on-SiC technologiją, užtikrinančią aukštą pramušimo įtampą, terminę stabilumą ir tiesinį efektyvumą. Įrenginiai veikia 0,8–7,4 GHz diapazone, užtikrindami puikų plati juosta stiprinimą ir didelę išvesties galią. Tinka nuolatinės srovės (CW) ir impulsinei veikai, šie tranzistoriai užtikrina puikų terminį patikimumą kietoms aplinkos sąlygoms.
Panaudojimo būdai
Modelis |
Dažnių diapazonas (GHz) |
Stiprinimas (dB) |
Išėjimo galia (W) |
PAE (%) |
Maitinimo įtampa (V) |
Paketo arba produkto matmenys (mm) |
GXPT4008 |
0.8~2 |
30 |
31 |
40 |
+28 |
28.00x20.00x1.75 |
GXPT4001 |
2.3~3.5 |
- |
160 |
50 |
+28 |
23.60x15.40x2.20 |
GXPT4009 |
2.7~3.1 |
13 |
500 |
54 |
+28 |
24.00x17.40x5.00 |
GXPT4010 |
2.7~3.5 |
13 |
400 |
55 |
+48 |
24.00x17.40x5.00 |
GXPT4011 |
2.7~3.5 |
28 |
180 |
55 |
+28 |
25,00x14,00x2,00 |
GXPT4012 |
3.1~3.4 |
28 |
60 |
55 |
+28 |
24,50x17,40x4,70 |
GXPT4002 |
5.3~5.9 |
- |
50 |
50 |
+28 |
8,00x8,00x1,60 |
GXPT4013 |
5.3~5.9 |
11 |
100 |
45 |
+28 |
24.00x17.40x5.00 |
GXPT4003 |
5.3~5.9 |
- |
100 |
50 |
+28 |
24.00x17.40x5.00 |
GXPT4004 |
5.3~5.9 |
- |
200 |
50 |
+28 |
24.00x17.40x5.00 |
GXPT4014 |
5.9~6.7 |
10 |
15 |
48 |
+28 |
21,00x12,90x4,50 |
GXPT4015 |
5.9~6.7 |
11 |
30 |
45 |
+28 |
21,00x12,90x4,50 |
GXPT4016 |
5.9~6.7 |
11 |
120 |
40 |
+28 |
24.00x17.40x5.00 |
GXPT4017 |
6.4~7.2 |
11 |
100 |
40 |
+28 |
24.00x17.40x5.00 |
GXPT4018 |
6.9~7.4 |
11 |
30 |
44 |
+28 |
24.00x17.40x5.00 |
GXPT4019 |
6.9~7.4 |
9 |
100 |
35 |
+28 |
24.00x17.40x5.00 |
EN
