Transistor công suất GaN hiệu suất cao, mật độ công suất cao được tối ưu hóa cho các ứng dụng radar băng thông rộng, truyền thông và vi sóng. Cung cấp công suất đầu ra lên đến 500 W với 55% PAE dưới nguồn +28 V.
Tổng quan về Sản phẩm
Các transistor công suất GaN của JARON sử dụng công nghệ tiên tiến GaN-on-SiC, cho phép điện áp đánh thủng cao, ổn định nhiệt và hiệu suất tuyến tính tốt. Các thiết bị hoạt động trong dải tần 0,8–7,4 GHz, cung cấp độ lợi băng thông rộng vượt trội và đầu ra công suất cao. Phù hợp cho chế độ hoạt động liên tục (CW) và xung, những transistor này mang lại độ tin cậy nhiệt tuyệt vời trong các hệ thống môi trường khắc nghiệt.
Ứng dụng
Mô hình |
Dải tần số (GHz) |
Hệ số khuếch đại (dB) |
Công suất Đầu ra (W) |
PAE (%) |
Điện áp nguồn (V) |
Kích thước Gói hoặc Sản phẩm (mm) |
GXPT4008 |
0.8~2 |
30 |
31 |
40 |
+28 |
28.00x20.00x1.75 |
GXPT4001 |
2.3~3.5 |
- |
160 |
50 |
+28 |
23.60x15.40x2.20 |
GXPT4009 |
2.7~3.1 |
13 |
500 |
54 |
+28 |
24.00x17.40x5.00 |
GXPT4010 |
2.7~3.5 |
13 |
400 |
55 |
+48 |
24.00x17.40x5.00 |
GXPT4011 |
2.7~3.5 |
28 |
180 |
55 |
+28 |
25,00x14,00x2,00 |
GXPT4012 |
3.1~3.4 |
28 |
60 |
55 |
+28 |
24,50x17,40x4,70 |
GXPT4002 |
5.3~5.9 |
- |
50 |
50 |
+28 |
8,00x8,00x1,60 |
GXPT4013 |
5.3~5.9 |
11 |
100 |
45 |
+28 |
24.00x17.40x5.00 |
GXPT4003 |
5.3~5.9 |
- |
100 |
50 |
+28 |
24.00x17.40x5.00 |
GXPT4004 |
5.3~5.9 |
- |
200 |
50 |
+28 |
24.00x17.40x5.00 |
GXPT4014 |
5.9~6.7 |
10 |
15 |
48 |
+28 |
21,00x12,90x4,50 |
GXPT4015 |
5.9~6.7 |
11 |
30 |
45 |
+28 |
21,00x12,90x4,50 |
GXPT4016 |
5.9~6.7 |
11 |
120 |
40 |
+28 |
24.00x17.40x5.00 |
GXPT4017 |
6.4~7.2 |
11 |
100 |
40 |
+28 |
24.00x17.40x5.00 |
GXPT4018 |
6.9~7.4 |
11 |
30 |
44 |
+28 |
24.00x17.40x5.00 |
GXPT4019 |
6.9~7.4 |
9 |
100 |
35 |
+28 |
24.00x17.40x5.00 |
EN
