K4A8G165WG-BCWE | Samsung DDR4 8Gb ×16 SDRAM-Speicherchip | Hochgeschwindigkeits-, stromsparender Speicher der Industrieklasse

PRODUKTOVERSICHT

K4A8G165WG-BCWE ist ein 8-Gb-DDR4-SDRAM von Samsung Semiconductor, organisiert als 512M × 16 und konform mit den JEDEC-DDR4-Standards. Er erreicht Datentransferraten von bis zu 3200 Mbps bei einem Betriebsspannungsniveau von nur 1,2 V und gewährleistet so hervorragende Leistung bei geringem Stromverbrauch. Das 96-polige FBGA-Gehäuse bietet eine hervorragende Signalintegrität und kompakte Bauform, wodurch es ideal für Server, Netzwerkanwendungen, Automobil- und Industriesysteme ist, die hohe Zuverlässigkeit und thermische Stabilität erfordern.

Hauptmerkmale

• JEDEC-konformer DDR4-SDRAM-Standard
• Unterstützt Datentransferraten bis zu 3200 Mbps (DDR4-3200)
• Betrieb bei 1,2 V ± 0,06 V für effizienten, stromsparenden Betrieb
• 16-Bit-Datenbreite für erhöhte Bandbreite pro Chip
• Integrierte DLL für präzise Taktsynchronisation
• Unterstützt automatische Aktualisierung, Selbstaktualisierung und energiesparende Modi
• Weiter Betriebstemperaturbereich (-40 °C bis +95 °C) für den Einsatz im industriellen Bereich
• Kompaktes 96-poliges FBGA-Gehäuse sorgt für hervorragende Signal- und thermische Leistung

Anwendungen

• Speichermodule für Server und Rechenzentren
• Netzwerk- und Kommunikationsgeräte
• Industrieautomatisierung und eingebettete Steuerungssysteme
• Automotive-Infotainmentsysteme und KI-Recheneinheiten
• Unterhaltungselektronik und fortschrittliche Anzeigesysteme

Technische Spezifikationen

Angebotsanfrage

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