K4A8G165WG-BCWE | Чип памяти Samsung DDR4 8 Гб ×16 SDRAM | Высокоскоростная, низкопотребляющая промышленная память

Обзор продукта

K4A8G165WG-BCWE — это 8 Гб DDR4 SDRAM от Samsung Semiconductor, организованная как 512M × 16 и соответствующая стандартам JEDEC DDR4. Обеспечивает скорость передачи данных до 3200 Мбит/с при напряжении всего 1,2 В, что гарантирует выдающуюся производительность с низким энергопотреблением. Корпус 96-ball FBGA обеспечивает отличную целостность сигнала и компактные размеры, что делает его идеальным решением для серверов, сетевого оборудования, автомобильной электроники и промышленных систем, где требуются высокая надёжность и термостабильность.

Ключевые особенности

• Соответствие стандарту JEDEC DDR4 SDRAM
• Поддерживает скорости передачи данных до 3200 Мбит/с (DDR4-3200)
• Работает при напряжении 1,2 В ± 0,06 В для эффективной работы с низким энергопотреблением
• 16-битная ширина данных для увеличения полосы пропускания на чип
• Встроенный DLL для точной синхронизации таймингов
• Поддержка режимов автообновления, самонаводки и энергосбережения
• Широкий рабочий диапазон температур (-40 °C до +95 °C) для использования в промышленных условиях
• Компактный корпус 96-ball FBGA обеспечивает превосходные сигнальные и тепловые характеристики

Применения

• Модули памяти для серверов и центров обработки данных
• Сетевое и телекоммуникационное оборудование
• Промышленная автоматизация и встроенные системы управления
• Автомобильные информационно-развлекательные системы и блоки искусственного интеллекта
• Бытовая электроника и передовые системы дисплеев

Технические характеристики

Запрос котировки

Для получения информации о наличии на складе в реальном времени, ценах и сроках поставки K4A8G165WG-BCWE укажите в запросе предложение (RFQ) требуемое количество (Qty), необходимое время выполнения заказа и целевую цену. Наша команда оперативно предоставит лучшее коммерческое предложение, а также поддержку по комплектации спецификаций (BOM), разовым поставкам и управлению запасами.