K4A8G165WG-BCWE | Čip paměti Samsung DDR4 8Gb ×16 SDRAM | Vysokorychlostní, nízkopříkonová průmyslová paměť

Přehled produktu

K4A8G165WG-BCWE je 8Gb DDR4 SDRAM od společnosti Samsung Semiconductor, uspořádaná jako 512M × 16 a vyhovující standardům JEDEC DDR4. Dosahuje přenosových rychlostí až 3200 Mbps při provozním napětí pouze 1,2 V, čímž zajišťuje vynikající výkon při nízké spotřebě energie. Balení 96-vývodového FBGA zajišťuje vynikající integritu signálu a kompaktní rozměry, díky čemuž je ideální pro servery, sítě, automobilový průmysl a průmyslové systémy vyžadující vysokou spolehlivost a tepelnou stabilitu.

Klíčové vlastnosti

• DDR4 SDRAM standard podle JEDEC
• Podpora přenosových rychlostí až 3200 Mbps (DDR4-3200)
• Provoz při napětí 1,2 V ± 0,06 V pro efektivní nízkopříkonový provoz
• šestnáctibitová datová šířka pro zvýšenou šířku pásma na čip
• Integrovaný DLL pro přesnou synchronizaci časování
• Podpora automatického obnovování, samoobnovování a režimů úspory energie
• Široký provozní teplotní rozsah (-40 °C až +95 °C) pro použití v průmyslové třídě
• Kompaktní 96-vývodové FBGA balení zajišťuje vynikající signálový a tepelný výkon

Použití

• Paměťové moduly pro servery a datová centra
• Síťové a komunikační zařízení
• Průmyslová automatizace a vestavěné řídicí systémy
• Automobilové informačně-zábavní systémy a jednotky umělé inteligence
• Spotřební elektronika a pokročilé zobrazovací systémy

Technické specifikace

Žádost o cenovou nabídku

Pro informace o aktuálních zásobách, cenách a dodacích lhůtách pro K4A8G165WG-BCWE uveďte prosím ve svém RFQ požadované množství (Qty), požadovanou dodací dobu a cílovou cenu. Náš tým vám rychle předloží nejlepší nabídku a podporu při sestavování BOM, dodávce ze skladu a správě zásob.