K4A8G165WG-BCWE | Układ pamięci Samsung DDR4 8Gb ×16 SDRAM | Wysokoprzepustowa, niskonapięciowa pamięć przemysłowa

Przegląd produktu

K4A8G165WG-BCWE to pamięć 8Gb DDR4 SDRAM firmy Samsung Semiconductor, zorganizowana jako 512M × 16, zgodna ze standardami JEDEC DDR4. Zapewnia szybkość transmisji danych do 3200 Mbps przy napięciu pracy tylko 1,2 V, gwarantując doskonałą wydajność przy niskim zużyciu energii. Obudowa 96-pinowa FBGA zapewnia doskonałą integralność sygnału i kompaktowe wymiary, co czyni ją idealną dla serwerów, systemów sieciowych, motoryzacyjnych i przemysłowych wymagających wysokiej niezawodności i stabilności termicznej.

Kluczowe cechy

• Zgodny ze standardem JEDEC DDR4 SDRAM
• Obsługuje szybkości transmisji danych do 3200 Mb/s (DDR4-3200)
• Działa przy napięciu 1,2 V ± 0,06 V, zapewniając efektywną pracę przy niskim poborze mocy
• szerokość danych 16 bitów dla zwiększonej przepustowości na chip
• Zintegrowany DLL dla precyzyjnej synchronizacji czasowania
• Obsługa automatycznego odświeżania, samoodświeżania i trybów oszczędzania energii
• Szeroki zakres temperatur pracy (-40°C do +95°C) umożliwia użytkowanie w warunkach przemysłowych
• Kompaktowa obudowa 96-pinowa FBGA zapewnia doskonałą jakość sygnału i wydajność termiczną

Zastosowania

• Moduły pamięci dla serwerów i centrów danych
• Sprzęt sieciowy i komunikacyjny
• Systemy automatyki przemysłowej i sterowania wbudowanego
• Jednostki rozrywki pokładowej i obliczeń sztucznej inteligencji w pojazdach samochodowych
• Elektronika użytkowa i zaawansowane systemy wyświetlania

Specyfikacje techniczne

Prośba o wycenę

W celu uzyskania informacji o aktualnych stanach magazynowych, cenach i terminach dostawy produktu K4A8G165WG-BCWE prosimy o podanie ilości (Qty), wymaganego czasu realizacji oraz docelowej ceny w zapytaniu ofertowym. Nasz zespół niezwłocznie przedstawi najlepszą ofertę oraz wsparcie w zakresie komplektowania list materiałowych (BOM), dostaw jednostkowych i zarządzania zapasami.