K4A8G165WG-BCWE | Samsung DDR4 8Gb ×16 SDRAM atminties mikroschema | Didelio greičio, mažos galios pramoninės klasės atmintis

Produkto apžvalga

K4A8G165WG-BCWE yra 8Gb DDR4 SDRAM gamintojo Samsung Semiconductor, organizuota kaip 512M × 16 ir atitinkanti JEDEC DDR4 standartus. Ji užtikrina duomenų perdavimo greitį iki 3200 Mbps, veikdama tik 1,2 V įtampa, dėl ko pasižymi puikiu našumu su maža energijos sąnauda. 96 kontaktų FBGA korpusas užtikrina puikią signalo vientisumą ir kompaktišką dydį, todėl ji puikiai tinka serveriams, tinklams, automobilių ir pramonės sistemoms, kur reikalinga aukšta patikimumo ir šiluminė stabilumas.

Pagrindinės savybės

• Atitinka JEDEC DDR4 SDRAM standartą
• Palaiko duomenų perdavimo greitį iki 3200 Mbps (DDR4-3200)
• Veikia 1,2 V ± 0,06 V įtampa, užtikrindama efektyvų mažos galios veikimą
• 16 bitų duomenų plotis didesniam juostos pralaidumui vienai mikroschemei
• Integruotas DLL tiksliai sinchronizacijai
• Palaikomas automatinis atnaujinimas, savęs atnaujinimas ir energiją taupantys režimai
• Platus darbo temperatūrų diapazonas (-40 °C iki +95 °C) pramoninės paskirties naudojimui
• Kompaktiškas 96 kontaktų FBGA korpusas užtikrina geresnį signalo ir šiluminį našumą

Panaudojimo būdai

• Serverių ir duomenų centrų atminties moduliai
• Tinklų ir ryšio įranga
• Pramoninė automatizacija ir įterptieji valdymo sistemos
• Automobilių informacinės pramogos ir dirbtinio intelekto skaičiavimo vienetai
• Vartotojo elektronika ir pažangios ekranų sistemos

Techninės specifikacijos

Kainos paklausimas

Norėdami gauti tikslią akcijų, kainų ir pristatymo informaciją apie K4A8G165WG-BCWE, prašome RFK nurodyti savo Kiekį (Qty), Būtiną pristatymo laiką ir Taikomąją kainą. Mūsų komanda nedelsiant pateiks geriausią pasiūlymą bei užtikrins pagalbą BOM rinkinių paruošime, atsargų tiekime ir valdyme.