K4A8G165WG-BCWE | Мікросхема пам'яті Samsung DDR4 8 Гб ×16 SDRAM | Високошвидкісна, малоспоживаюча промислова пам'ять

Огляд продукту

K4A8G165WG-BCWE — це 8 Гб DDR4 SDRAM від Samsung Semiconductor, організована як 512 М × 16 і сумісна зі стандартами JEDEC DDR4. Вона забезпечує швидкість передачі даних до 3200 Мбіт/с при роботі лише на 1,2 В, що гарантує виняткову продуктивність із низьким енергоспоживанням. Корпус 96-ball FBGA забезпечує відмінну цілісність сигналу та компактні розміри, що робить його ідеальним для серверів, мережевих, автомобільних та промислових систем, де потрібні висока надійність і термічна стабільність.

Основні особливості

• Відповідність стандарту JEDEC DDR4 SDRAM
• Підтримка швидкості передачі даних до 3200 Мбіт/с (DDR4-3200)
• Працює при напрузі 1,2 В ± 0,06 В для ефективної роботи з низьким енергоспоживанням
• 16-бітна ширина даних для збільшення пропускної здатності на чип
• Інтегрований DLL для точного синхронізування таймінгів
• Підтримка режимів автооновлення, самоновлення та економії енергії
• Широкий діапазон робочих температур (-40°C до +95°C) для використання в промислових умовах
• Компактний корпус 96-ball FBGA забезпечує відмінні сигнальні та теплові характеристики

Застосування

• Модулі пам'яті для серверів і центрів оброблення даних
• Обладнання для мереж та зв'язку
• Промислова автоматизація та вбудовані системи керування
• Автомобільне інформаційно-розважальне обладнання та обчислювальні пристрої на основі штучного інтелекту
• Побутова електроніка та сучасні системи дисплеїв

Технічні специфікації

Запит на ціну

Для отримання актуальних даних про наявність на складі, ціни та терміни поставки K4A8G165WG-BCWE, будь ласка, вкажіть у запиті кількість (Qty), необхідний термін поставки та цільову ціну. Наша команда негайно надасть найкращу пропозицію та підтримку щодо комплектації BOM, оперативних поставок та управління запасами.