K4A8G165WG-BCWE | Cip cofrestr Samsung DDR4 8Gb ×16 SDRAM | Cofnod gradd diwydiant cyflym, is-bŵer

Arolwg Cyffredinol ar y Cynnyrch

Mae K4A8G165WG-BCWE yn 8Gb DDR4 SDRAM gan Samsung Semiconductor, wedi'i drefnu fel 512M × 16 ac yn cydymffurfio â safonau JEDEC DDR4. Mae'n cyflwyno cyfraddau data hyd at 3200 Mbps wrth weithredu ar 1.2V yn unig, gan sicrhau perfformiad eithriadol gyda chynnyrch bŵer isel. Mae'r pecyn FBGA 96-bechen yn darparu integreiddio aruthrol ar gyfer signal a maint compact, gan ei wneud yn ddelfrydol ar gyfer gweinyddion, rhwydweithiau, awyrennau ac ystema diwydiannol sydd angen ysgyfaint uchel a stabilitaeth thermol.

Nodweddion Allweddol

• Safon DDR4 SDRAM sy'n cyd-fynd â JEDEC
• Cefnogir cyfraddau data hyd at 3200 Mbps (DDR4-3200)
• Weithredu ar 1.2V ± 0.06V ar gyfer gweithredu effeithiol is-bŵer
• lled data 16-bit i gynyddu bandlathwedd fesul chip
• DLL integredig ar gyfer cydweddu amseru union
• Cefnogaeth ar gyfer adnewyddu awtomatig, adnewyddu hunanol, a moddau arbed pŵer
• Amrediad eang o fewn tymheredd gweithredu (-40°C i +95°C) ar gyfer defnydd graddfa diwydol
• Pecyn FBGA 96-bechen compact yn sicrhau perfformiad signal a thermaleg uwch

Ceisiadau

• Modiwlau cofnod y gweinydd a'r ganolfan ddata
• Offer rhwydwaith a chyfathrebu
• Awtomateiddio diwydiant a systemau rheoli mabnach
• Unedau gwybodaeth ac adnabod awtomotive a chyfrifiadureg AI
• Electronig y defnyddiwr ac systemau arddangos uwch

Manylebau Technegol

Cais am Ofyn Am Gwerth

Am stoc a phrisio mewn amser real, a gwybodaeth am ddyneddrau K4A8G165WG-BCWE, cynhwyswch eich Nifer (Qty), Amser Arweiniol Angenrhaidd, a Phris Targed yn y RFQ. Bydd ein tîm yn cynnig dyfarniad gorau'n unigol a chymorth ar gyfer BOM kitting, cyflenwi man, a rheoli storfa.